Entfesseln Sie das volle Potenzial Ihrer Elektronikprojekte mit unserem hochleistungsfähigen N-Kanal Feldeffekttransistor (FET). Dieser robuste und zuverlässige FET ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Effizienz, Leistung und Langlebigkeit gefragt sind. Ob Sie nun innovative Schaltnetzteile entwickeln, energieeffiziente Motorsteuerungen realisieren oder die Leistung Ihrer Audioverstärker optimieren möchten – dieser FET wird Ihre Erwartungen übertreffen und Ihre Projekte auf ein neues Level heben.
Technische Highlights, die begeistern
Dieser N-Kanal FET vereint modernste Technologie mit herausragenden Leistungsmerkmalen, um Ihnen ein Höchstmaß an Flexibilität und Kontrolle über Ihre Schaltungen zu bieten. Mit einer Sperrspannung von 60 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 16 A ist dieser FET in der Lage, auch anspruchsvolle Lasten zuverlässig zu steuern. Der niedrige Einschaltwiderstand von nur 0,08 Ω minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb, während das robuste TO220-Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung gewährleistet.
- N-Kanal-Technologie: Bietet schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Effizienz.
- Sperrspannung (Vds): 60 V – Ideal für Anwendungen mit mittleren Spannungen.
- Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 16 A – Ermöglicht die Steuerung von anspruchsvollen Lasten.
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,08 Ω – Minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz.
- Gehäuse: TO220 – Bietet eine hervorragende Wärmeableitung für zuverlässigen Betrieb.
Mit diesem FET erhalten Sie ein Produkt, das nicht nur durch seine technischen Daten überzeugt, sondern auch durch seine Vielseitigkeit und einfache Handhabung. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, dieser FET wird Ihnen dabei helfen, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen und Ihre Elektronikprojekte zum Erfolg zu führen.
Anwendungsbereiche, die inspirieren
Die Einsatzmöglichkeiten dieses N-Kanal FETs sind schier unbegrenzt. Lassen Sie sich von den folgenden Anwendungsbeispielen inspirieren und entdecken Sie, wie dieser FET Ihre Projekte beflügeln kann:
- Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Schaltnetzteile mit diesem leistungsstarken FET.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie DC-Motoren präzise und effizient für Anwendungen in Robotik, Modellbau und mehr.
- Audioverstärker: Verbessern Sie die Klangqualität und Leistung Ihrer Audioverstärker mit diesem rauscharmen FET.
- DC-DC-Wandler: Realisieren Sie effiziente DC-DC-Wandler für mobile Geräte, Solaranwendungen und mehr.
- Beleuchtungssysteme: Steuern Sie LED-Beleuchtungssysteme präzise und energieeffizient.
Darüber hinaus eignet sich dieser FET hervorragend für den Einsatz in USV-Systemen, Batteriemanagementsystemen, Solarladereglern und vielen weiteren Anwendungen, bei denen eine zuverlässige und effiziente Leistungssteuerung erforderlich ist. Mit diesem FET sind Ihrer Kreativität keine Grenzen gesetzt.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen umfassenden Überblick über die Leistungsfähigkeit dieses N-Kanal FETs zu geben, haben wir die wichtigsten technischen Daten in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 60 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (Id) | 16 | A |
| Puls-Drainstrom (Idm) | 64 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 48 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=10V | 0,08 | Ω |
| Gate-Ladung (Qg) | 15 | nC |
| Eingangskapazität (Ciss) | 600 | pF |
| Betriebstemperaturbereich | -55 bis +175 | °C |
| Gehäuse | TO220 |
Diese detaillierten technischen Daten ermöglichen es Ihnen, die Leistungsfähigkeit dieses FETs genau zu beurteilen und ihn optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren. Vertrauen Sie auf die Qualität und Zuverlässigkeit dieses Produkts, um Ihre Projekte erfolgreich zu realisieren.
Das TO220-Gehäuse – Kühlung leicht gemacht
Das TO220-Gehäuse ist ein Industriestandard für Leistungshalbleiter und bietet eine hervorragende Wärmeableitung. Dies ist besonders wichtig bei Anwendungen, bei denen hohe Ströme fließen und der FET Wärme erzeugt. Das TO220-Gehäuse ermöglicht es Ihnen, den FET mit einem Kühlkörper zu verbinden, um die Wärme effizient abzuführen und eine Überhitzung zu vermeiden. Dies trägt nicht nur zur Zuverlässigkeit des FETs bei, sondern auch zur Stabilität Ihrer gesamten Schaltung.
Die einfache Montage des TO220-Gehäuses ist ein weiterer Vorteil. Mit nur wenigen Handgriffen können Sie den FET auf einer Kühlfläche befestigen und so für eine optimale Wärmeableitung sorgen. Dies spart Ihnen Zeit und Mühe und ermöglicht es Ihnen, sich auf die wesentlichen Aspekte Ihres Projekts zu konzentrieren.
Qualität, die überzeugt
Wir legen größten Wert auf die Qualität unserer Produkte. Dieser N-Kanal FET wird unter strengen Qualitätskontrollen gefertigt, um sicherzustellen, dass er höchsten Ansprüchen genügt. Wir verwenden nur hochwertige Materialien und modernste Fertigungstechnologien, um Ihnen ein Produkt zu bieten, auf das Sie sich verlassen können. Jeder FET wird vor der Auslieferung umfassend getestet, um sicherzustellen, dass er die spezifizierten Leistungsmerkmale erfüllt. So können Sie sicher sein, dass Sie ein Produkt erhalten, das Ihre Erwartungen übertrifft.
Unser Engagement für Qualität spiegelt sich auch in unserem Kundenservice wider. Wir sind stets bestrebt, Ihnen den bestmöglichen Service zu bieten und Ihre Fragen und Anliegen schnell und kompetent zu beantworten. Wenn Sie Fragen zu diesem Produkt oder anderen Produkten in unserem Sortiment haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren. Wir helfen Ihnen gerne weiter.
FAQ – Häufig gestellte Fragen
Hier finden Sie Antworten auf die häufigsten Fragen zu diesem N-Kanal FET:
Was bedeutet N-Kanal bei einem FET?
Ein N-Kanal FET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das an der Gate-Elektrode angelegt wird. Im Gegensatz zum P-Kanal FET werden beim N-Kanal FET Elektronen als Ladungsträger verwendet, was zu einer höheren Schaltgeschwindigkeit und Effizienz führt.
Wofür steht die Bezeichnung TO220?
TO220 ist eine standardisierte Gehäuseform für Leistungshalbleiter. Das TO220-Gehäuse zeichnet sich durch seine robuste Bauweise und seine gute Wärmeableitungsfähigkeit aus. Es ist ideal für Anwendungen, bei denen hohe Ströme fließen und der Halbleiter Wärme erzeugt.
Wie schließe ich den FET richtig an?
Der FET hat drei Anschlüsse: Gate (G), Drain (D) und Source (S). Die Pinbelegung des TO220-Gehäuses ist in der Regel wie folgt (von links nach rechts, wenn man auf die Vorderseite des FETs schaut): Gate, Drain, Source. Es ist wichtig, die Pinbelegung des jeweiligen FETs im Datenblatt zu überprüfen, da es je nach Hersteller und Modell Unterschiede geben kann. Achten Sie darauf, die richtige Polarität zu beachten und die Gate-Source-Spannung (Vgs) innerhalb der spezifizierten Grenzen zu halten.
Kann ich diesen FET auch für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, dieser N-Kanal FET eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen. Dank seiner schnellen Schaltgeschwindigkeiten und seines niedrigen Einschaltwiderstands kann er PWM-Signale effizient und präzise verarbeiten. Achten Sie jedoch darauf, die maximale Schaltfrequenz und die Verlustleistung des FETs im Auge zu behalten, um eine Überhitzung zu vermeiden.
Wie berechne ich den Kühlkörper für diesen FET?
Die Berechnung des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung des FETs und der maximal zulässigen Gehäusetemperatur ab. Zunächst müssen Sie die Verlustleistung (Pd) des FETs berechnen. Diese hängt vom Drainstrom (Id) und dem Einschaltwiderstand (Rds(on)) ab: Pd = Id² Rds(on). Anschließend können Sie den erforderlichen Wärmewiderstand des Kühlkörpers berechnen: Rθ = (Tj – Ta) / Pd – Rθjc, wobei Tj die maximale Sperrschichttemperatur, Ta die Umgebungstemperatur und Rθjc der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse ist. Wählen Sie einen Kühlkörper mit einem Wärmewiderstand, der kleiner oder gleich dem berechneten Wert ist.
Was passiert, wenn ich die maximale Sperrspannung überschreite?
Das Überschreiten der maximalen Sperrspannung (Vds) kann zu einem Durchbruch des FETs führen und ihn dauerhaft beschädigen. Achten Sie daher unbedingt darauf, die maximale Sperrspannung des FETs nicht zu überschreiten. Verwenden Sie gegebenenfalls Schutzschaltungen, um den FET vor Überspannungen zu schützen.
Kann ich mehrere FETs parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, mehrere FETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, einige Punkte zu beachten: Stellen Sie sicher, dass die FETs gut aufeinander abgestimmt sind, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Verwenden Sie separate Gate-Vorwiderstände für jeden FET, um parasitäre Schwingungen zu vermeiden. Achten Sie auf eine gute Wärmeableitung für alle FETs, um eine Überhitzung zu vermeiden.
