FET STP60NF10, N-Cahnnel, 100V, TO-220

Erleben Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit dem STP60NF10 N-Kanal MOSFET! Dieses Kraftpaket, verpackt im robusten TO-220 Gehäuse, bietet eine unschlagbare Kombination aus Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung für Ihre anspruchsvollsten Projekte. Tauchen Sie ein in eine Welt, in der Ihre Ideen nicht durch technische Limitierungen, sondern nur durch Ihre Vorstellungskraft begrenzt werden.

Entfesseln Sie das Potenzial Ihrer Projekte

Der STP60NF10 ist mehr als nur ein weiterer MOSFET; er ist ein Tor zu neuen Möglichkeiten. Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hochmodernes Robotiksystem, das präzise und kraftvolle Bewegungen ausführen muss. Oder vielleicht arbeiten Sie an einem revolutionären Solarenergiesystem, das maximale Energieausbeute bei minimalen Verlusten erzielen soll. Mit dem STP60NF10 haben Sie die Kontrolle über den Stromfluss und können Ihre Visionen in die Realität umsetzen.

Dieser N-Kanal MOSFET wurde entwickelt, um höchsten Ansprüchen gerecht zu werden. Mit einer beeindruckenden Spannungsfestigkeit von 100V und einem niedrigen Einschaltwiderstand (Rds(on)) bietet er eine außergewöhnliche Effizienz, die sich in geringerer Wärmeentwicklung und längerer Lebensdauer Ihrer Geräte niederschlägt. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein ambitionierter Bastler oder ein neugieriger Student sind, der STP60NF10 ist Ihr zuverlässiger Partner auf dem Weg zu bahnbrechenden Innovationen.

Der STP60NF10 ist nicht einfach nur ein Bauteil; er ist ein Versprechen. Ein Versprechen von Leistung, Zuverlässigkeit und unbegrenzten Möglichkeiten. Er ist die Grundlage für Innovationen, die die Welt verändern können. Lassen Sie uns gemeinsam die Zukunft gestalten – mit dem STP60NF10 als Ihrem Schlüssel zum Erfolg.

Technische Highlights, die Überzeugen

Der STP60NF10 besticht durch seine herausragenden technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:

• N-Kanal MOSFET: Ermöglicht eine effiziente und schnelle Schaltung von Lasten.
• Spannungsfestigkeit (Vds): 100V – Bietet ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen.
• Gehäuse: TO-220 – Ermöglicht eine einfache Montage und effektive Wärmeableitung.
• Niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on)): Minimiert die Verlustleistung und verbessert die Effizienz.
• Hoher Strom (Id): Bewältigt auch hohe Lasten problemlos.

Detaillierte Spezifikationen im Überblick

Um Ihnen einen umfassenden Überblick zu verschaffen, finden Sie hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Spezifikationen des STP60NF10:

Parameter	Wert	Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds)	100	V
Gate-Source-Spannung (Vgs)	±20	V
Dauerstrom (Id)	60	A
Pulsstrom (Idm)	240	A
Gesamtverlustleistung (Pd)	130	W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs = 10V	0.016	Ω
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs = 4.5V	0.022	Ω
Gate-Ladung (Qg)	35	nC
Einschaltverzögerungszeit (Td(on))	12	ns
Anstiegszeit (Tr)	25	ns
Ausschaltverzögerungszeit (Td(off))	40	ns
Fallzeit (Tf)	14	ns
Betriebstemperatur (Tj)	-55 bis +175	°C

Diese Spezifikationen zeigen deutlich, dass der STP60NF10 ein leistungsstarker und vielseitiger MOSFET ist, der für eine breite Palette von Anwendungen geeignet ist. Seine hohe Spannungsfestigkeit, der niedrige Einschaltwiderstand und der hohe Strom machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle Projekte.

Anwendungsbereiche, die Begeistern

Die Vielseitigkeit des STP60NF10 kennt kaum Grenzen. Er ist die ideale Wahl für:

• Schaltregler: Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Stromversorgung und reduzieren Sie die Wärmeentwicklung.
• Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient für Robotik, Elektrowerkzeuge und mehr.
• DC-DC-Wandler: Konvertieren Sie Spannungen mit minimalen Verlusten für mobile Geräte, Solaranlagen und andere Anwendungen.
• Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um für Solaranlagen, USV-Systeme und andere Anwendungen.
• Leistungsverstärker: Verstärken Sie Audiosignale oder andere Signale mit hoher Effizienz und geringer Verzerrung.
• Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und optimieren Sie deren Lebensdauer.
• LED-Beleuchtung: Steuern Sie LEDs präzise und effizient für energieeffiziente Beleuchtungslösungen.
• Netzteile: Entwickeln Sie zuverlässige und effiziente Netzteile für eine Vielzahl von Anwendungen.

Diese Liste ist nur ein kleiner Ausschnitt der unzähligen Anwendungsmöglichkeiten des STP60NF10. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Wege, diesen leistungsstarken MOSFET in Ihren Projekten einzusetzen!

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein intelligentes Hausautomationssystem, das energieeffizient und zuverlässig ist. Mit dem STP60NF10 können Sie die Beleuchtung steuern, die Heizung regeln und andere Geräte automatisieren, um Ihren Energieverbrauch zu senken und Ihren Komfort zu erhöhen.

Oder vielleicht arbeiten Sie an einem Projekt im Bereich der erneuerbaren Energien. Mit dem STP60NF10 können Sie Solarmodule effizienter nutzen, Windkraftanlagen optimal steuern und Batteriespeicher intelligent verwalten. Tragen Sie dazu bei, eine nachhaltige Zukunft zu gestalten!

Der STP60NF10: Ihr Partner für Innovationen

Der STP60NF10 ist nicht nur ein Produkt, sondern ein Versprechen – ein Versprechen von Leistung, Zuverlässigkeit und unbegrenzten Möglichkeiten. Er ist die Grundlage für Innovationen, die die Welt verändern können. Er ist Ihr Partner auf dem Weg zu bahnbrechenden Entwicklungen.

Wir sind davon überzeugt, dass der STP60NF10 Ihre Erwartungen übertreffen wird. Seine herausragenden technischen Eigenschaften, seine Vielseitigkeit und seine Zuverlässigkeit machen ihn zu einer unschlagbaren Wahl für Ihre Projekte. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied!

Lassen Sie sich von der Leistung des STP60NF10 inspirieren und verwirklichen Sie Ihre Visionen. Die Zukunft der Leistungselektronik beginnt hier und jetzt!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP60NF10

Was ist ein N-Kanal MOSFET und wie funktioniert er?

Ein N-Kanal MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein spannungsgesteuertes Halbleiterbauelement, das verwendet wird, um Ströme zu schalten oder zu verstärken. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren, die einen Basisstrom benötigen, wird ein MOSFET durch eine Spannung am Gate-Anschluss gesteuert. Wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird, entsteht ein leitender Kanal zwischen Source und Drain, der den Stromfluss ermöglicht. Je höher die Gate-Spannung, desto größer der Stromfluss. Wenn keine Spannung am Gate anliegt, ist der Kanal gesperrt und der Stromfluss unterbrochen.

N-Kanal MOSFETs sind in vielen Anwendungen beliebt, da sie eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen geringen Stromverbrauch und eine einfache Ansteuerung bieten. Sie werden häufig in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, Verstärkern und anderen elektronischen Schaltungen eingesetzt.

Wofür steht die Bezeichnung TO-220?

TO-220 ist eine standardisierte Gehäuseform für elektronische Bauelemente, insbesondere für Transistoren, MOSFETs und Spannungsregler. „TO“ steht für „Transistor Outline“. Das TO-220 Gehäuse zeichnet sich durch seine rechteckige Form mit einem oder mehreren Anschlussbeinchen an einer Seite und einer Metallfläche auf der Rückseite aus. Diese Metallfläche dient zur Wärmeableitung und wird oft mit einem Kühlkörper verbunden, um die Betriebstemperatur des Bauelements zu senken.

Das TO-220 Gehäuse ist beliebt, weil es eine gute Wärmeableitung, eine einfache Montage und eine robuste Bauweise bietet. Es ist in verschiedenen Varianten erhältlich, z.B. mit 3, 5 oder 7 Anschlussbeinchen, je nach den Anforderungen des jeweiligen Bauelements.

Was bedeutet der Wert „Rds(on)“ und warum ist er wichtig?

Rds(on) steht für „Drain-Source On-Resistance“ und bezeichnet den Einschaltwiderstand eines MOSFETs. Es ist der Widerstand, der zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFETs entsteht, wenn er eingeschaltet ist und sich im leitenden Zustand befindet. Der Wert wird in Ohm (Ω) angegeben.

Ein niedriger Rds(on)-Wert ist sehr wichtig, da er die Verlustleistung und die Wärmeentwicklung des MOSFETs reduziert. Je niedriger der Rds(on)-Wert, desto weniger Energie wird in Wärme umgewandelt, wenn der MOSFET Strom leitet. Dies führt zu einer höheren Effizienz der Schaltung, einer geringeren Betriebstemperatur und einer längeren Lebensdauer des MOSFETs. In Anwendungen mit hohen Strömen ist ein niedriger Rds(on)-Wert besonders wichtig, um eine Überhitzung des Bauelements zu vermeiden.

Wie schließe ich den STP60NF10 richtig an?

Der STP60NF10 hat drei Anschlüsse: Gate (G), Drain (D) und Source (S). Die korrekte Anschlussbelegung ist entscheidend für den Betrieb des MOSFETs. In der Regel ist das mittlere Bein des TO-220 Gehäuses der Drain-Anschluss, aber Sie sollten immer das Datenblatt des Herstellers konsultieren, um sicherzustellen, dass Sie die richtige Anschlussbelegung verwenden.

1. Gate (G): Der Gate-Anschluss steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source. Er wird über einen Vorwiderstand mit einer Steuerspannung verbunden. Die Steuerspannung muss innerhalb des zulässigen Bereichs liegen (siehe Datenblatt).
2. Drain (D): Der Drain-Anschluss wird mit der Last verbunden, die geschaltet werden soll.
3. Source (S): Der Source-Anschluss wird mit der Masse (GND) verbunden.

Es ist wichtig, die Polarität der Last und der Steuerspannung korrekt zu beachten. Ein falscher Anschluss kann zu Schäden am MOSFET oder an der gesamten Schaltung führen.

Wie kühle ich den STP60NF10, wenn er heiß wird?

Wenn der STP60NF10 in Anwendungen mit hohen Strömen oder hohen Spannungen betrieben wird, kann er sich aufgrund der Verlustleistung erwärmen. Eine effektive Kühlung ist wichtig, um die Betriebstemperatur des MOSFETs innerhalb des zulässigen Bereichs zu halten und seine Lebensdauer zu verlängern. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, den STP60NF10 zu kühlen:

• Kühlkörper: Ein Kühlkörper ist ein Metallkörper mit einer großen Oberfläche, der an der Metallfläche des TO-220 Gehäuses befestigt wird. Der Kühlkörper leitet die Wärme vom MOSFET ab und gibt sie an die Umgebungsluft ab. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung des MOSFETs und der Umgebungstemperatur ab.
• Wärmeleitpaste: Wärmeleitpaste wird zwischen dem MOSFET und dem Kühlkörper aufgetragen, um den Wärmeübergang zu verbessern. Die Paste füllt die mikroskopisch kleinen Unebenheiten auf den Oberflächen und sorgt für einen besseren Kontakt.
• Lüfter: Ein Lüfter kann verwendet werden, um die Luftzirkulation um den Kühlkörper zu erhöhen und die Wärmeabfuhr zu verbessern.
• Flüssigkeitskühlung: In anspruchsvollen Anwendungen kann auch eine Flüssigkeitskühlung eingesetzt werden, um die Wärme noch effektiver abzuführen.

Die Wahl der Kühlmethode hängt von der spezifischen Anwendung und den Umgebungsbedingungen ab. Es ist wichtig, die Temperatur des MOSFETs regelmäßig zu überwachen und sicherzustellen, dass sie innerhalb des zulässigen Bereichs liegt.

Kann ich den STP60NF10 auch mit niedrigeren Gate-Spannungen betreiben?

Ja, der STP60NF10 kann auch mit niedrigeren Gate-Spannungen betrieben werden. Das Datenblatt des Herstellers gibt einen Wert für die „Gate Threshold Voltage“ (Vgs(th)) an. Dies ist die minimale Gate-Spannung, die erforderlich ist, um den MOSFET einzuschalten und einen Stromfluss zu ermöglichen. Der STP60NF10 ist ein „Logic Level“ MOSFET, das bedeutet, dass er bereits bei niedrigen Gate-Spannungen, typischerweise 4.5V bis 5V, vollständig eingeschaltet werden kann.

Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Rds(on)-Wert des MOSFETs von der Gate-Spannung abhängt. Je niedriger die Gate-Spannung, desto höher der Rds(on)-Wert und desto höher die Verlustleistung. Daher ist es ratsam, eine Gate-Spannung zu wählen, die ausreichend hoch ist, um den MOSFET vollständig einzuschalten und einen niedrigen Rds(on)-Wert zu gewährleisten, aber gleichzeitig innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, um Schäden am Bauelement zu vermeiden.

Wo finde ich das Datenblatt für den STP60NF10?

Das Datenblatt für den STP60NF10 ist in der Regel auf der Website des Herstellers (z.B. STMicroelectronics) oder bei großen Elektronikdistributoren verfügbar. Eine einfache Google-Suche nach „STP60NF10 datasheet“ führt Sie in der Regel direkt zum gewünschten Dokument. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die elektrischen Eigenschaften, die Abmessungen, die Anschlussbelegung und die Anwendungsrichtlinien des MOSFETs. Es ist unerlässlich, das Datenblatt vor der Verwendung des STP60NF10 sorgfältig zu lesen, um sicherzustellen, dass er für Ihre spezifische Anwendung geeignet ist und korrekt angeschlossen und betrieben wird.