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IGBT INFINEON IGW25N120H3

IGBT INFINEON IGW25N120H3

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Artikelnummer: 04049702171393 Kategorie: Transistoren
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Beschreibung

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  • Der INFINEON IGW25N120H3 IGBT: Leistung und Präzision für Ihre anspruchsvollen Projekte
    • Technische Highlights, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Warum der INFINEON IGW25N120H3 die richtige Wahl ist
    • Technische Daten im Überblick
    • Ihr Projekt, unsere Leidenschaft
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum INFINEON IGW25N120H3
    • 1. Was bedeutet IGBT?
    • 2. Für welche Anwendungen ist der IGW25N120H3 besonders geeignet?
    • 3. Was ist der Unterschied zwischen einem IGBT und einem MOSFET?
    • 4. Wie schütze ich den IGW25N120H3 vor Überspannung?
    • 5. Ist der IGW25N120H3 RoHS-konform?
    • 6. Wo finde ich das Datenblatt für den IGW25N120H3?
    • 7. Kann ich den IGW25N120H3 auch für Hobbyprojekte verwenden?

Der INFINEON IGW25N120H3 IGBT: Leistung und Präzision für Ihre anspruchsvollen Projekte

Tauchen Sie ein in die Welt der Hochleistungselektronik mit dem INFINEON IGW25N120H3 IGBT. Dieser Insulated Gate Bipolar Transistor ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Herzstück innovativer Lösungen, das Ihre Projekte mit unübertroffener Effizienz und Zuverlässigkeit beflügelt. Stellen Sie sich vor, wie Sie Ihre Ideen mit einem Werkzeug realisieren, das selbst höchsten Ansprüchen gerecht wird.

Der IGW25N120H3 von INFINEON steht für technologische Exzellenz und ist die ideale Wahl für Anwendungen, die höchste Schaltfrequenzen, geringe Verluste und eine robuste Performance erfordern. Ob in der Leistungselektronik, in der Antriebstechnik, in Schweißgeräten oder in erneuerbaren Energien – dieser IGBT setzt neue Maßstäbe.

Technische Highlights, die überzeugen

Dieser IGBT besticht durch eine Reihe von beeindruckenden technischen Eigenschaften, die ihn von anderen Bauteilen abheben:

  • Hohe Sperrspannung (1200V): Ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Spannungen.
  • Nennstrom (25A): Bietet ausreichend Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen.
  • Niedriger VCE(sat): Minimiert die Verluste und erhöht die Effizienz.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht den Einsatz in hochfrequenten Anwendungen.
  • RoHS-konform: Entspricht den höchsten Umweltstandards.

Diese Eigenschaften machen den IGW25N120H3 zu einem zuverlässigen und effizienten Bauteil, das Ihnen hilft, Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der INFINEON IGW25N120H3 ist ein wahrer Allrounder und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Einsatz:

  • Leistungselektronik: In Frequenzumrichtern, USV-Systemen und Schaltnetzteilen sorgt er für eine effiziente und zuverlässige Energieversorgung.
  • Antriebstechnik: In Motorsteuerungen und Servoantrieben ermöglicht er präzise und dynamische Bewegungen.
  • Schweißgeräte: In Inverter-Schweißgeräten sorgt er für eine stabile und effiziente Energieversorgung des Schweißprozesses.
  • Erneuerbare Energien: In Solar-Wechselrichtern und Windkraftanlagen trägt er zur effizienten Umwandlung und Einspeisung von Energie bei.
  • Induktionserwärmung: Für schnelles und präzises Erwärmen von Metallen.

Die Vielseitigkeit dieses IGBTs macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für Ingenieure und Entwickler, die innovative Lösungen realisieren möchten.

Warum der INFINEON IGW25N120H3 die richtige Wahl ist

Die Entscheidung für den INFINEON IGW25N120H3 ist eine Investition in Qualität, Zuverlässigkeit und Innovation. Er bietet Ihnen:

  • Höchste Qualität: INFINEON ist ein weltweit führender Hersteller von Halbleitern und steht für höchste Qualitätsstandards.
  • Zuverlässigkeit: Der IGW25N120H3 ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine lange Lebensdauer gewährleistet.
  • Effizienz: Durch seine geringen Verluste trägt er zur Energieeinsparung und zur Reduzierung der Betriebskosten bei.
  • Innovation: Der IGW25N120H3 basiert auf modernster Technologie und ermöglicht die Realisierung innovativer Lösungen.

Mit dem INFINEON IGW25N120H3 setzen Sie auf ein Bauteil, das Ihren Ansprüchen gerecht wird und Ihnen hilft, Ihre Ziele zu erreichen.

Technische Daten im Überblick

Um Ihnen einen detaillierten Überblick über die technischen Daten des INFINEON IGW25N120H3 zu geben, haben wir eine Tabelle für Sie zusammengestellt:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (Vces) 1200 V
Kollektorstrom (Ic) 25 A
Gate-Emitter-Spannung (Vge) ±20 V
Betriebstemperatur (Tj) -40 bis +175 °C
Gehäuse TO-247 –

Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des IGW25N120H3.

Ihr Projekt, unsere Leidenschaft

Wir verstehen, dass jedes Projekt einzigartig ist und spezielle Anforderungen hat. Deshalb bieten wir Ihnen nicht nur hochwertige Produkte, sondern auch kompetente Beratung und Unterstützung. Unser Team aus erfahrenen Ingenieuren steht Ihnen gerne zur Seite, um Sie bei der Auswahl des richtigen Bauteils und bei der Umsetzung Ihrer Projekte zu unterstützen.

Lassen Sie uns gemeinsam Ihre Ideen verwirklichen und die Welt von morgen gestalten. Mit dem INFINEON IGW25N120H3 haben Sie das richtige Werkzeug in der Hand, um Ihre Visionen in die Realität umzusetzen.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum INFINEON IGW25N120H3

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum INFINEON IGW25N120H3. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

1. Was bedeutet IGBT?

IGBT steht für Insulated Gate Bipolar Transistor. Es ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften eines Bipolartransistors und eines MOSFET kombiniert. Dadurch bietet er hohe Schaltgeschwindigkeiten, geringe Verluste und eine einfache Ansteuerung.

2. Für welche Anwendungen ist der IGW25N120H3 besonders geeignet?

Der IGW25N120H3 eignet sich besonders für Anwendungen in der Leistungselektronik, Antriebstechnik, Schweißgeräten und erneuerbaren Energien. Durch seine hohe Sperrspannung und seinen Nennstrom ist er für anspruchsvolle Anwendungen geeignet.

3. Was ist der Unterschied zwischen einem IGBT und einem MOSFET?

Ein IGBT kombiniert die Vorteile eines MOSFET (hohe Schaltgeschwindigkeit, einfache Ansteuerung) mit den Vorteilen eines Bipolartransistors (hohe Stromtragfähigkeit). Im Vergleich zu MOSFETs haben IGBTs in der Regel geringere Verluste bei hohen Spannungen und Strömen.

4. Wie schütze ich den IGW25N120H3 vor Überspannung?

Um den IGW25N120H3 vor Überspannung zu schützen, sollten Sie geeignete Schutzschaltungen verwenden, wie z.B. Snubber-Schaltungen oder Varistoren. Diese Schaltungen begrenzen die Spannung, die an den IGBT angelegt wird, und verhindern so Schäden.

5. Ist der IGW25N120H3 RoHS-konform?

Ja, der IGW25N120H3 ist RoHS-konform. Das bedeutet, dass er den Anforderungen der RoHS-Richtlinie (Restriction of Hazardous Substances) entspricht und keine gefährlichen Stoffe enthält.

6. Wo finde ich das Datenblatt für den IGW25N120H3?

Das Datenblatt für den IGW25N120H3 finden Sie auf der Website von INFINEON oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“. Dort finden Sie alle technischen Details und Spezifikationen des Produkts.

7. Kann ich den IGW25N120H3 auch für Hobbyprojekte verwenden?

Ja, der IGW25N120H3 kann auch für Hobbyprojekte verwendet werden, sofern die technischen Anforderungen des Projekts mit den Spezifikationen des IGBT übereinstimmen. Es ist jedoch wichtig, sich vorab gründlich mit den technischen Details auseinanderzusetzen und die entsprechenden Sicherheitsvorkehrungen zu treffen.

Bewertungen: 4.7 / 5. 522

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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