Entfesseln Sie das Potenzial Ihrer Leistungselektronik mit dem IGBT INFINEON IKW25N120T2 – dem Schlüssel zu effizienten und zuverlässigen Schaltanwendungen! Dieses Premium-Produkt von Infineon, einem weltweit führenden Hersteller von Halbleiterlösungen, bietet Ihnen die Leistung und Präzision, die Sie für Ihre anspruchsvollsten Projekte benötigen. Erleben Sie die nächste Generation der Leistungselektronik – jetzt verfügbar in unserem Elektronik & Technik Affiliate Shop!
IGBT INFINEON IKW25N120T2: Ihr Tor zu Höchstleistungen
Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 ist ein hochmoderner Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Effizienz, Zuverlässigkeit und Schaltgeschwindigkeit erfordern. Egal, ob Sie in der Leistungselektronik, der Antriebstechnik, der erneuerbaren Energien oder in anderen anspruchsvollen Bereichen tätig sind – dieser IGBT wird Ihre Erwartungen übertreffen. Tauchen Sie ein in die Welt der fortschrittlichen Leistungselektronik und entdecken Sie, wie der IKW25N120T2 Ihre Projekte revolutionieren kann!
Die Magie im Detail: Technische Spezifikationen des IKW25N120T2
Um das volle Potenzial des IGBT INFINEON IKW25N120T2 zu verstehen, werfen wir einen Blick auf seine beeindruckenden technischen Spezifikationen:
- Hersteller: Infineon Technologies
- Typ: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
- Gehäuse: TO-247
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 1200 V
- Maximaler Kollektorstrom (IC): 25 A (bei TC = 100°C)
- Gate-Emitter-Spannung (VGE): ±20 V
- Schaltgeschwindigkeit: Schnell
- Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
- Technologie: TrenchStop™
- Anwendungen: Frequenzumrichter, Schweißgeräte, USV-Systeme, Induktionserwärmung, Solarwechselrichter, Motorsteuerungen
Die TrenchStop™ Technologie von Infineon sorgt für minimale Schaltverluste und höchste Effizienz. Der breite Betriebstemperaturbereich ermöglicht einen zuverlässigen Einsatz in unterschiedlichsten Umgebungen. Der hohe Kollektorstrom und die robuste Spannungsfestigkeit machen den IKW25N120T2 zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.
Warum der IKW25N120T2 Ihre erste Wahl sein sollte: Überzeugende Vorteile
Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 bietet Ihnen eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von anderen IGBTs auf dem Markt abheben:
- Unübertroffene Effizienz: Die TrenchStop™ Technologie minimiert die Schaltverluste und steigert die Gesamteffizienz Ihrer Systeme. Das bedeutet weniger Energieverbrauch und geringere Betriebskosten.
- Hervorragende Zuverlässigkeit: Dank der hochwertigen Materialien und der präzisen Fertigung von Infineon können Sie sich auf eine lange Lebensdauer und stabile Performance des IKW25N120T2 verlassen.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht es Ihnen, hochfrequente Anwendungen zu realisieren und die Leistung Ihrer Systeme zu optimieren.
- Robuste Leistung: Der hohe Kollektorstrom und die hohe Spannungsfestigkeit gewährleisten einen sicheren und zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
- Einfache Integration: Das standardisierte TO-247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre bestehenden Designs.
- Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten: Von Frequenzumrichtern bis hin zu Solarwechselrichtern – der IKW25N120T2 ist für eine breite Palette von Anwendungen geeignet.
Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Erleben Sie den Unterschied, den Qualität und Innovation machen können!
Anwendungsbereiche: Wo der IKW25N120T2 glänzt
Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 ist ein wahres Multitalent und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Einsatz:
- Frequenzumrichter: Steigern Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Frequenzumrichter mit dem IKW25N120T2.
- Schweißgeräte: Erzielen Sie präzise und saubere Schweißergebnisse dank der schnellen Schaltgeschwindigkeit und der robusten Leistung des IGBTs.
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Sorgen Sie für eine unterbrechungsfreie Stromversorgung Ihrer kritischen Systeme mit dem IKW25N120T2.
- Induktionserwärmung: Erwärmen Sie Metalle schnell und effizient mit der hohen Leistung des IGBTs.
- Solarwechselrichter: Wandeln Sie Sonnenenergie effizient in Wechselstrom um und tragen Sie zur Energiewende bei.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient mit dem IKW25N120T2.
- Leistungselektronik im Allgemeinen: Optimieren Sie Ihre Leistungselektronik-Designs mit diesem hochwertigen IGBT.
Die flexiblen Einsatzmöglichkeiten des IKW25N120T2 machen ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für jeden Ingenieur und Entwickler im Bereich der Leistungselektronik.
Die Infineon-Qualität: Ein Versprechen, auf das Sie sich verlassen können
Infineon Technologies ist ein weltweit führender Hersteller von Halbleiterlösungen und steht für höchste Qualität, Innovation und Zuverlässigkeit. Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 ist ein Paradebeispiel für die Ingenieurskunst von Infineon. Jedes Bauteil wird sorgfältig geprüft und getestet, um höchste Performance und lange Lebensdauer zu gewährleisten. Wenn Sie sich für einen IGBT von Infineon entscheiden, entscheiden Sie sich für Qualität, auf die Sie sich verlassen können.
Technische Details im Überblick: Tabellarische Darstellung
Für einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des IGBT INFINEON IKW25N120T2 haben wir Ihnen eine Tabelle zusammengestellt:
Parameter | Wert | Einheit |
---|---|---|
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) | 1200 | V |
Maximaler Kollektorstrom (IC) | 25 | A |
Gate-Emitter-Spannung (VGE) | ±20 | V |
Betriebstemperaturbereich | -55 bis +150 | °C |
Gehäuse | TO-247 | – |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen und einfachen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des IGBT INFINEON IKW25N120T2.
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FAQ: Häufig gestellte Fragen zum IGBT INFINEON IKW25N120T2
Was ist ein IGBT und wie funktioniert er?
Ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Vorteile eines Bipolartransistors (hohe Stromtragfähigkeit) mit denen eines MOSFET (einfache Ansteuerung) kombiniert. Er wird hauptsächlich als elektronischer Schalter in Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Schaltgeschwindigkeit eingesetzt. Im Wesentlichen wird der IGBT durch eine Spannung am Gate-Anschluss gesteuert. Eine positive Spannung schaltet den IGBT ein, wodurch Strom zwischen Kollektor und Emitter fließen kann. Eine Spannung nahe Null schaltet den IGBT aus. Die isolierte Gate-Struktur minimiert den Steuerstrom und ermöglicht eine einfache Ansteuerung des Bauelements.
Für welche Anwendungen ist der IKW25N120T2 besonders geeignet?
Der IGBT INFINEON IKW25N120T2 ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:
- Frequenzumrichter für die Steuerung von Elektromotoren
- Schweißgeräte, die eine präzise und schnelle Stromregelung benötigen
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung) zur Gewährleistung einer stabilen Stromversorgung
- Induktionserwärmungsanlagen, die hohe Leistungen benötigen
- Solarwechselrichter zur Umwandlung von Solarstrom in netzkonformen Wechselstrom
- Allgemeine Leistungselektronik-Anwendungen, die einen zuverlässigen und effizienten Schalter benötigen
Was bedeutet die Bezeichnung „TrenchStop™ Technologie“?
Die TrenchStop™ Technologie ist eine von Infineon entwickelte Technologie, die die Leistungsfähigkeit von IGBTs verbessert. Dabei werden Grabenstrukturen in das Siliziummaterial eingebracht, um die Ladungsträgerdichte zu optimieren und die Schaltverluste zu minimieren. Dies führt zu einer höheren Effizienz, geringeren Wärmeverlusten und einer verbesserten Zuverlässigkeit des IGBTs. Die TrenchStop™ Technologie ist ein entscheidender Faktor für die herausragende Performance des IKW25N120T2.
Wie wähle ich den richtigen IGBT für meine Anwendung aus?
Die Auswahl des richtigen IGBTs hängt von verschiedenen Faktoren ab, darunter:
- Spannung: Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) des IGBTs muss höher sein als die maximale Spannung in Ihrer Anwendung.
- Strom: Der maximale Kollektorstrom (IC) des IGBTs muss ausreichend sein, um den maximalen Strom in Ihrer Anwendung zu tragen.
- Schaltgeschwindigkeit: Die Schaltgeschwindigkeit des IGBTs muss den Anforderungen Ihrer Anwendung entsprechen.
- Betriebstemperatur: Der Betriebstemperaturbereich des IGBTs muss mit den Umgebungsbedingungen Ihrer Anwendung übereinstimmen.
- Gehäuse: Das Gehäuse des IGBTs muss für Ihre Montageanforderungen geeignet sein.
Es ist wichtig, alle diese Faktoren sorgfältig zu berücksichtigen, um den optimalen IGBT für Ihre Anwendung auszuwählen. Bei Fragen stehen wir Ihnen gerne beratend zur Seite.
Wie schütze ich den IKW25N120T2 vor Beschädigungen?
Um den IGBT INFINEON IKW25N120T2 vor Beschädigungen zu schützen, sollten Sie folgende Maßnahmen beachten:
- Überspannungsschutz: Verwenden Sie Überspannungsschutzvorrichtungen, um den IGBT vor Spannungsspitzen zu schützen.
- Überstromschutz: Verwenden Sie Überstromschutzvorrichtungen, um den IGBT vor zu hohen Strömen zu schützen.
- Temperaturüberwachung: Überwachen Sie die Temperatur des IGBTs und sorgen Sie für eine ausreichende Kühlung.
- Sichere Ansteuerung: Stellen Sie sicher, dass die Gate-Ansteuerung des IGBTs innerhalb der spezifizierten Grenzen liegt.
- ESD-Schutz: Behandeln Sie den IGBT mit Vorsicht, um elektrostatische Entladungen (ESD) zu vermeiden.
Die Einhaltung dieser Maßnahmen trägt dazu bei, die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des IGBT INFINEON IKW25N120T2 zu maximieren.
Wo finde ich das Datenblatt für den IKW25N120T2?
Das offizielle Datenblatt für den IGBT INFINEON IKW25N120T2 finden Sie auf der Webseite von Infineon Technologies. Dort finden Sie detaillierte Informationen zu den technischen Spezifikationen, den Kennlinien und den Anwendungshinweisen des IGBTs. Wir stellen Ihnen auf Anfrage auch gerne einen Link zum Datenblatt zur Verfügung.