Willkommen in der Welt der Hochleistungselektronik! Entdecken Sie den INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB260NPBF – das Herzstück für Ihre anspruchsvollsten Projekte. Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern eine Investition in Zuverlässigkeit, Effizienz und unübertroffene Leistung.
Entfesseln Sie die Power: Der IRFB260NPBF im Detail
Der IRFB260NPBF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für seine außergewöhnliche Performance in einer Vielzahl von Anwendungen bekannt ist. Von Schaltnetzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu Hochfrequenz-Schweißgeräten – dieser MOSFET meistert jede Herausforderung mit Bravour. Seine robuste Bauweise und die fortschrittliche Chip-Technologie garantieren eine lange Lebensdauer und minimale Ausfallzeiten. Erleben Sie, wie der IRFB260NPBF Ihre elektronischen Schaltungen auf ein neues Level hebt.
Technische Daten, die überzeugen
Die inneren Werte zählen! Hier sind die technischen Spezifikationen, die den IRFB260NPBF zu einem unverzichtbaren Bauteil machen:
- Sperrspannung (Vds): 200V
- Dauerstrom (Id): 44A
- Pulsstrom (Idm): 170A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0.085 Ohm (typisch) bei Vgs = 10V
- Gate-Ladung (Qg): 60 nC (typisch)
- Leistungsverlust (Pd): 300W
- Gehäuse: TO-220AB
Diese beeindruckenden Werte ermöglichen es Ihnen, Schaltungen mit hoher Effizienz und geringen Verlusten zu realisieren. Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Wärmeerzeugung und trägt zur Gesamtstabilität Ihrer Anwendungen bei.
Das TO-220AB Gehäuse: Robust und zuverlässig
Das TO-220AB Gehäuse ist ein Industriestandard für Leistungsbauteile. Es zeichnet sich durch seine einfache Montage und exzellente Wärmeableitung aus. Dies ist entscheidend, um die Betriebstemperatur des MOSFETs niedrig zu halten und seine Lebensdauer zu maximieren. Dank der weit verbreiteten Bauform lässt sich der IRFB260NPBF problemlos in bestehende Designs integrieren und ist mit einer Vielzahl von Kühlkörpern kompatibel. Verlassen Sie sich auf ein Gehäuse, das Stabilität und Funktionalität vereint.
Anwendungsbereiche des IRFB260NPBF: Grenzenlose Möglichkeiten
Der IRFB260NPBF ist ein echter Alleskönner. Seine Vielseitigkeit macht ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen Leistungs-MOSFET optimal einsetzen können:
- Schaltnetzteile (SMPS): Erzielen Sie höchste Effizienz und Stabilität in Ihren Netzteilen. Der IRFB260NPBF ermöglicht es Ihnen, kompakte und leistungsstarke Designs zu realisieren.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Elektromotoren präzise und zuverlässig. Der hohe Stromtragfähigkeit und die schnelle Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs garantieren eine optimale Performance.
- DC-DC Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient um. Der geringe Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und maximiert den Wirkungsgrad.
- Wechselrichter: Erzeugen Sie saubere und stabile Wechselspannung aus Gleichspannung. Der IRFB260NPBF ist ideal für Solarwechselrichter, USV-Anlagen und andere Anwendungen.
- Hochfrequenz-Schweißgeräte: Liefern Sie die benötigte Leistung für präzise und zuverlässige Schweißarbeiten. Der robuste Aufbau des MOSFETs hält auch den härtesten Bedingungen stand.
- Audio-Verstärker: Verwirklichen Sie kraftvolle und verzerrungsarme Verstärker. Der IRFB260NPBF sorgt für eine exzellente Klangqualität und hohe Ausgangsleistung.
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die der IRFB260NPBF bietet. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobby-Elektroniker sind – dieser MOSFET wird Sie begeistern.
Vorteile, die den Unterschied machen
Was macht den IRFB260NPBF so besonders? Hier sind die wichtigsten Vorteile auf einen Blick:
- Hohe Sperrspannung: Mit 200V Vds sind Sie für eine Vielzahl von Anwendungen bestens gerüstet.
- Hoher Dauerstrom: 44A Id ermöglichen die Steuerung von leistungsstarken Lasten.
- Geringer Einschaltwiderstand: 0.085 Ohm Rds(on) minimieren die Verluste und erhöhen die Effizienz.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Reduzieren Sie Schaltverluste und verbessern Sie die Performance Ihrer Schaltungen.
- Robuste Bauweise: Garantiert eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit.
- Einfache Montage: Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine problemlose Integration in bestehende Designs.
- Bleifrei: Entspricht den RoHS-Richtlinien und ist somit umweltfreundlich.
Diese Vorteile machen den IRFB260NPBF zu einer lohnenden Investition für alle, die höchste Ansprüche an ihre elektronischen Bauteile stellen. Verlassen Sie sich auf Qualität und Performance – mit dem IRFB260NPBF treffen Sie die richtige Wahl.
Technische Details im Überblick
Für die detaillierte Planung Ihrer Projekte ist es wichtig, alle technischen Details im Blick zu haben. Hier finden Sie eine umfassende Übersicht:
Detaillierte Spezifikationen
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (Vds) | 200 | V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | ±20 | V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc = 25°C | 44 | A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 170 | A |
| Single Pulse Avalanche Energy (Eas) | 750 | mJ |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc = 25°C | 300 | W |
| Operating Junction and Storage Temperature Range (Tj, Tstg) | -55 to +175 | °C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (Rthjc) | 0.5 | °C/W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Rthja) | 62 | °C/W |
| Drain-Source On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs = 10V, Id = 22A | 0.085 (typ.) / 0.10 (max.) | Ohm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) @ Vds = Vgs, Id = 250µA | 2.0 to 4.0 | V |
| Total Gate Charge (Qg) @ Vds = 160V, Vgs = 10V, Id = 44A | 60 | nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | 11 | nC |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | 26 | nC |
| Turn-On Delay Time (td(on)) | 13 | ns |
| Rise Time (tr) | 30 | ns |
| Turn-Off Delay Time (td(off)) | 41 | ns |
| Fall Time (tf) | 30 | ns |
| Input Capacitance (Ciss) | 2800 | pF |
| Output Capacitance (Coss) | 380 | pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60 | pF |
Diese detaillierten Informationen ermöglichen es Ihnen, den IRFB260NPBF optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und die bestmögliche Performance zu erzielen. Nutzen Sie diese Daten, um Ihre Designs zu perfektionieren und Ihre Ziele zu erreichen.
Die Technologie hinter dem Erfolg
Der IRFB260NPBF profitiert von den neuesten Fortschritten in der MOSFET-Technologie. Die optimierte Chip-Architektur und die präzise Fertigung sorgen für eine herausragende Performance und Zuverlässigkeit. Durch die Verwendung hochwertiger Materialien und strenger Qualitätskontrollen wird sichergestellt, dass jeder MOSFET den höchsten Ansprüchen genügt. Investieren Sie in ein Produkt, das auf Innovation und Qualität basiert.
FAQ: Ihre Fragen, unsere Antworten
Hier finden Sie Antworten auf die häufigsten Fragen zum IRFB260NPBF. Wir möchten sicherstellen, dass Sie alle Informationen haben, die Sie für Ihre Entscheidung benötigen.
Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ im Namen IRFB260NPBF?
Das Kürzel „PBF“ steht für „Pb-Free“, was bedeutet, dass der IRFB260NPBF bleifrei ist und somit den RoHS-Richtlinien entspricht. Dies ist ein wichtiger Aspekt für umweltbewusste Anwendungen und entspricht den aktuellen Industriestandards.
Wie wähle ich den richtigen Kühlkörper für den IRFB260NPBF aus?
Die Wahl des richtigen Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Verwenden Sie die thermischen Widerstandswerte (Rthjc und Rthja) aus den technischen Daten, um die benötigte Kühlkörpergröße zu berechnen. Achten Sie darauf, dass der Kühlkörper eine ausreichende Oberfläche hat, um die Wärme effektiv abzuführen und die Betriebstemperatur des MOSFETs im zulässigen Bereich zu halten.
Kann ich den IRFB260NPBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, mehrere IRFB260NPBF parallel zu schalten, um den Gesamtstrom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, einige Aspekte zu beachten, um eine gleichmäßige Stromverteilung sicherzustellen. Verwenden Sie separate Gate-Widerstände für jeden MOSFET und achten Sie auf eine symmetrische Anordnung der Bauteile, um Unterschiede in den Schaltzeiten zu minimieren. Eine sorgfältige Planung ist entscheidend, um eine zuverlässige Funktion zu gewährleisten.
Welche Vorsichtsmaßnahmen sollte ich beim Umgang mit dem IRFB260NPBF beachten?
MOSFETs sind elektrostatisch empfindlich (ESD). Vermeiden Sie Berührungen mit den Anschlüssen und verwenden Sie eine ESD-Schutzmatte und ein geerdetes Handgelenkband, um statische Entladungen zu verhindern. Achten Sie darauf, dass die Versorgungsspannung und der Strom innerhalb der zulässigen Grenzwerte liegen, um Schäden am Bauteil zu vermeiden. Befolgen Sie die Herstellerangaben und verwenden Sie geeignete Schutzschaltungen, um Ihre Schaltungen zu schützen.
Wo finde ich detaillierte Anwendungsbeispiele für den IRFB260NPBF?
Auf der Website von International Rectifier (jetzt Infineon Technologies) finden Sie eine Vielzahl von Applikationshinweisen, Datenblättern und Design-Tools, die Ihnen bei der Entwicklung Ihrer Schaltungen helfen. Nutzen Sie diese Ressourcen, um das volle Potenzial des IRFB260NPBF auszuschöpfen und Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen. Darüber hinaus bieten viele Online-Foren und Communities wertvolle Informationen und Unterstützung von anderen Elektronik-Enthusiasten.
Wie messe ich den Rds(on) Wert des IRFB260NPBF richtig?
Um den Rds(on)-Wert korrekt zu messen, benötigen Sie ein präzises Multimeter und eine geeignete Schaltung. Legen Sie eine konstante Gate-Source-Spannung von 10V an und messen Sie den Drain-Source-Strom bei einem definierten Wert (z.B. 22A). Der Rds(on)-Wert ergibt sich dann aus dem Quotienten von Drain-Source-Spannung und Drain-Source-Strom (Rds(on) = Vds / Id). Achten Sie darauf, dass der MOSFET ausreichend gekühlt ist, um eine Überhitzung zu vermeiden. Verwenden Sie ein Multimeter mit Vierleiter-Messung, um den Einfluss der Messleitungen zu minimieren.
