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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB38N20DPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB38N20DPBF

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Artikelnummer: 48dd9156ad85 Kategorie: Transistoren
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Beschreibung

Entfesseln Sie die Kraft Ihrer Elektronikprojekte mit dem INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB38N20DPBF Leistungs-MOSFET – dem Schlüssel zu höchster Effizienz und unübertroffener Performance. Dieses Kraftpaket der Halbleitertechnologie ist mehr als nur ein Bauteil; es ist die Grundlage für Innovation, Zuverlässigkeit und die Verwirklichung Ihrer kühnsten technischen Visionen. Tauchen Sie ein in die Welt fortschrittlicher Elektronik und erleben Sie, wie der IRFB38N20DPBF Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

Inhalt

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  • Der IRFB38N20DPBF: Ein Meisterwerk der Leistungselektronik
    • Unschlagbare Vorteile, die überzeugen:
  • Technische Details, die den Unterschied machen
    • Wichtige Parameter im Überblick:
  • Anwendungsbereiche: Wo der IRFB38N20DPBF glänzt
  • Design-Tipps für optimale Performance
  • Qualität und Zuverlässigkeit: Darauf können Sie sich verlassen
  • FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten
    • Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolartransistor?
    • Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung aus?
    • Was bedeutet der Parameter „Rds(on)“?
    • Wie kann ich den IRFB38N20DPBF richtig kühlen?
    • Ist der IRFB38N20DPBF ESD-empfindlich?
    • Wo finde ich das Datenblatt für den IRFB38N20DPBF?
    • Kann ich den IRFB38N20DPBF in einem Audioverstärker verwenden?

Der IRFB38N20DPBF: Ein Meisterwerk der Leistungselektronik

Der INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB38N20DPBF ist ein N-Kanal Leistungs-MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, bei denen Effizienz, Zuverlässigkeit und höchste Performance im Vordergrund stehen. Ob in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, oder in der Leistungselektronik erneuerbarer Energien – dieser MOSFET setzt neue Maßstäbe.

Warum der IRFB38N20DPBF Ihre erste Wahl sein sollte? Weil er nicht nur Leistung verspricht, sondern sie auch liefert. Erleben Sie, wie Ihre Schaltungen effizienter arbeiten, weniger Wärme erzeugen und eine längere Lebensdauer aufweisen. Der IRFB38N20DPBF ist die Investition in die Zukunft Ihrer Elektronikprojekte.

Unschlagbare Vorteile, die überzeugen:

  • Herausragende Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Leistung Ihrer Schaltungen.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf eine lange Lebensdauer und stabile Performance, auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Profitieren Sie von blitzschnellen Schaltvorgängen für eine optimale Performance Ihrer Anwendungen.
  • Geringer Einschaltwiderstand (Rds(on)): Reduzieren Sie die Verlustleistung und verbessern Sie die Effizienz Ihrer Schaltungen.
  • RoHS-konform: Tragen Sie zum Umweltschutz bei, ohne Kompromisse bei der Performance einzugehen.

Technische Details, die den Unterschied machen

Der IRFB38N20DPBF ist nicht nur ein Bauteil; er ist das Ergebnis jahrelanger Forschung und Entwicklung im Bereich der Leistungselektronik. Seine technischen Daten sprechen für sich und unterstreichen seine Fähigkeit, auch die anspruchsvollsten Anforderungen zu erfüllen.

Wichtige Parameter im Überblick:

Parameter Wert
Drain-Source-Spannung (Vds) 200V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 47A
Puls-Drain-Strom (Idm) 190A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 0.047 Ohm (typisch)
Gesamt-Gate-Ladung (Qg) 67 nC
Verlustleistung (Pd) 300W
Gehäuse TO-220AB

Diese beeindruckenden technischen Daten ermöglichen es dem IRFB38N20DPBF, in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt zu werden, von hocheffizienten Schaltnetzteilen bis hin zu anspruchsvollen Motorsteuerungen. Seine Fähigkeit, hohe Ströme und Spannungen zu verarbeiten, kombiniert mit seinem geringen Einschaltwiderstand, macht ihn zur idealen Wahl für leistungsorientierte Designs.

Anwendungsbereiche: Wo der IRFB38N20DPBF glänzt

Die Vielseitigkeit des IRFB38N20DPBF kennt kaum Grenzen. Er ist der ideale Baustein für eine breite Palette von Anwendungen, die höchste Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Lassen Sie sich inspirieren und entdecken Sie, wie der IRFB38N20DPBF Ihre Projekte beflügeln kann.

  • Schaltnetzteile (SMPS): Steigern Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und reduzieren Sie die Verlustleistung.
  • Motorsteuerungen: Erzielen Sie präzise und effiziente Motorsteuerungen für industrielle Anwendungen und Elektromobilität.
  • DC-DC-Wandler: Entwickeln Sie hocheffiziente DC-DC-Wandler für eine Vielzahl von Anwendungen.
  • Wechselrichter: Realisieren Sie zuverlässige Wechselrichter für erneuerbare Energien und USV-Systeme.
  • Beleuchtungssysteme: Optimieren Sie die Leistung und Effizienz Ihrer LED-Beleuchtungssysteme.
  • Industrielle Automatisierung: Integrieren Sie den IRFB38N20DPBF in industrielle Automatisierungssysteme für eine zuverlässige und effiziente Steuerung.
  • Elektrowerkzeuge: Verbessern Sie die Leistung und Lebensdauer von Elektrowerkzeugen durch den Einsatz dieses robusten MOSFETs.

Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem IRFB38N20DPBF die Grenzen des Möglichen verschieben. Erleben Sie, wie Ihre Geräte effizienter arbeiten, weniger Wärme erzeugen und eine längere Lebensdauer aufweisen. Der IRFB38N20DPBF ist nicht nur ein Bauteil; er ist der Schlüssel zur Innovation.

Design-Tipps für optimale Performance

Um das volle Potenzial des IRFB38N20DPBF auszuschöpfen, ist es wichtig, einige grundlegende Design-Prinzipien zu beachten. Mit den folgenden Tipps stellen Sie sicher, dass Ihre Schaltungen optimal funktionieren und die gewünschte Performance liefern.

  • Kühlung: Eine ausreichende Kühlung ist entscheidend, um die Verlustleistung abzuführen und die Lebensdauer des MOSFETs zu maximieren. Verwenden Sie Kühlkörper und sorgen Sie für eine gute Wärmeableitung.
  • Gate-Ansteuerung: Optimieren Sie die Gate-Ansteuerung, um Schaltverluste zu minimieren und die Effizienz zu steigern. Verwenden Sie einen geeigneten Gate-Treiber.
  • Layout: Achten Sie auf ein sauberes und übersichtliches Layout, um Störungen und unerwünschte Induktivitäten zu vermeiden. Halten Sie die Verbindungen kurz und verwenden Sie breite Leiterbahnen für hohe Ströme.
  • Schutzschaltungen: Integrieren Sie Schutzschaltungen, um den MOSFET vor Überspannungen und Überströmen zu schützen. Verwenden Sie beispielsweise TVS-Dioden und Sicherungen.
  • Entkopplungskondensatoren: Verwenden Sie Entkopplungskondensatoren in der Nähe des MOSFETs, um Spannungsspitzen zu reduzieren und die Stabilität der Schaltung zu verbessern.

Mit diesen Design-Tipps legen Sie den Grundstein für erfolgreiche und zuverlässige Elektronikprojekte. Der IRFB38N20DPBF ist ein leistungsstarkes Werkzeug, aber wie jedes Werkzeug entfaltet er sein volles Potenzial erst durch die richtige Anwendung.

Qualität und Zuverlässigkeit: Darauf können Sie sich verlassen

INTERNATIONAL RECTIFIER (jetzt Infineon Technologies) steht seit Jahrzehnten für höchste Qualität und Zuverlässigkeit im Bereich der Leistungselektronik. Der IRFB38N20DPBF ist ein Produkt dieser Tradition und wird unter strengsten Qualitätskontrollen gefertigt. Sie können sich darauf verlassen, dass er auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine stabile und zuverlässige Performance liefert.

Die RoHS-Konformität des IRFB38N20DPBF unterstreicht das Engagement von Infineon für Umweltschutz und Nachhaltigkeit. Sie können Ihre Elektronikprojekte mit gutem Gewissen realisieren, ohne die Umwelt zu belasten.

Investieren Sie in Qualität und Zuverlässigkeit – investieren Sie in den INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB38N20DPBF. Er ist die solide Basis für den Erfolg Ihrer Projekte.

FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolartransistor?

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind spannungsgesteuerte Bauelemente, während Bipolartransistoren stromgesteuert sind. MOSFETs haben in der Regel einen höheren Eingangswiderstand und sind einfacher anzusteuern. Sie sind auch schneller und effizienter bei höheren Frequenzen.

Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung aus?

Die Auswahl des richtigen MOSFETs hängt von verschiedenen Faktoren ab, darunter die maximale Spannung und der maximale Strom, die in Ihrer Anwendung auftreten, die Schaltfrequenz, die Verlustleistung und die Umgebungsbedingungen. Achten Sie auf die technischen Datenblätter der Hersteller und wählen Sie einen MOSFET, der alle Anforderungen erfüllt.

Was bedeutet der Parameter „Rds(on)“?

Rds(on) steht für „Drain-Source on-resistance“ und bezeichnet den Widerstand zwischen Drain und Source des MOSFETs, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedrigerer Rds(on) bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz der Schaltung.

Wie kann ich den IRFB38N20DPBF richtig kühlen?

Die Kühlung des IRFB38N20DPBF ist entscheidend, um seine Lebensdauer zu maximieren und eine zuverlässige Performance sicherzustellen. Verwenden Sie Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um die Wärme effektiv abzuführen. Achten Sie auf eine gute Belüftung und vermeiden Sie eine Überhitzung des Bauteils.

Ist der IRFB38N20DPBF ESD-empfindlich?

Ja, MOSFETs sind im Allgemeinen ESD-empfindlich (Electrostatic Discharge). Beachten Sie die üblichen Vorsichtsmaßnahmen beim Umgang mit ESD-empfindlichen Bauteilen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands und die Verwendung einer ESD-sicheren Arbeitsumgebung.

Wo finde ich das Datenblatt für den IRFB38N20DPBF?

Das Datenblatt für den IRFB38N20DPBF finden Sie auf der Website von Infineon Technologies oder bei verschiedenen Elektronik-Distributoren. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die technischen Daten, die Applikationshinweise und die Zuverlässigkeit des Bauteils.

Kann ich den IRFB38N20DPBF in einem Audioverstärker verwenden?

Ja, der IRFB38N20DPBF kann in Audioverstärkern verwendet werden, insbesondere in Class-D-Verstärkern, die hohe Effizienz und Leistung erfordern. Achten Sie jedoch auf eine sorgfältige Auslegung der Schaltung, um Verzerrungen zu minimieren und eine optimale Klangqualität zu erzielen.

Bewertungen: 4.6 / 5. 500

Zusätzliche Informationen
Marke

INTERNATIONAL RECTIFIER

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