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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4228PBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4228PBF

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Artikelnummer: b2aadbc4aa52 Kategorie: Transistoren
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Beschreibung

Entfesseln Sie die Power Ihrer Elektronikprojekte mit dem INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4228PBF Leistungs-MOSFET – dem Schlüssel zu außergewöhnlicher Leistung und unübertroffener Zuverlässigkeit!

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für Effizienz, Stabilität und die Realisierung Ihrer kühnsten Elektronikträume. Stellen Sie sich vor, wie Ihre Projekte mit neuer Energie zum Leben erwachen, angetrieben von einem MOSFET, der selbst anspruchsvollsten Herausforderungen gewachsen ist. Der IRFB4228PBF ist mehr als nur ein Transistor – er ist die Grundlage für Innovation und Perfektion in Ihren Schaltungen.

Inhalt

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  • Der INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4228PBF im Detail
    • Technische Highlights, die begeistern
    • Warum der IRFB4228PBF Ihre Projekte beflügelt
  • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Schaltnetzteile
    • Motorsteuerungen
    • DC-DC-Wandler
    • Hochfrequenz-Leistungsverstärker
    • Solaranlagen
  • Technische Daten im Überblick
  • Der INTERNATIONAL RECTIFIER Qualitätsanspruch
  • Entfesseln Sie Ihr Potenzial
  • FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten
    • Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolartransistor?
    • Wie schütze ich den IRFB4228PBF vor Überspannung?
    • Kann ich den IRFB4228PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
    • Welche Kühlkörpergröße benötige ich für den IRFB4228PBF?
    • Wo finde ich das Datenblatt für den IRFB4228PBF?

Der INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4228PBF im Detail

Der IRFB4228PBF ist ein N-Kanal Leistungs-MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Seine herausragenden Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, von Schaltnetzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu Hochfrequenz-Leistungsverstärkern. Dieser MOSFET vereint hohe Stromtragfähigkeit, geringen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltzeiten in einem robusten und zuverlässigen Gehäuse.

Technische Highlights, die begeistern

Lassen Sie uns einen Blick auf die technischen Daten werfen, die den IRFB4228PBF zu einem wahren Kraftpaket machen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht effiziente Schaltung und Verstärkung.
  • VDSS (Drain-Source-Spannung): 30V – Bietet ausreichend Spielraum für verschiedene Anwendungen.
  • RDS(on) (Drain-Source-Einschaltwiderstand): Nur 2.9 mΩ bei VGS = 10V – Minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz.
  • ID (Drain-Strom): Bis zu 120A – Ermöglicht den Betrieb bei hohen Strömen ohne Überhitzung.
  • Qg (Gate-Ladung): Nur 75 nC – Sorgt für schnelle Schaltzeiten und reduziert Schaltverluste.
  • Gehäuse: TO-220AB – Bietet hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.

Diese beeindruckenden Spezifikationen sind das Ergebnis jahrelanger Forschung und Entwicklung durch INTERNATIONAL RECTIFIER, einem Unternehmen, das für seine Innovationskraft und Qualität bekannt ist. Mit dem IRFB4228PBF erhalten Sie nicht nur ein Produkt, sondern das Ergebnis eines unermüdlichen Strebens nach Perfektion.

Warum der IRFB4228PBF Ihre Projekte beflügelt

Der IRFB4228PBF ist mehr als nur eine Komponente – er ist ein Game-Changer für Ihre Elektronikprojekte. Hier sind einige Gründe, warum dieser MOSFET Ihre Erwartungen übertreffen wird:

  • Unübertroffene Effizienz: Dank des extrem niedrigen Einschaltwiderstands minimiert der IRFB4228PBF Leistungsverluste und sorgt für eine maximale Energieausnutzung. Das bedeutet längere Batterielaufzeiten, geringere Wärmeentwicklung und insgesamt effizientere Schaltungen.
  • Herausragende Leistung: Der hohe Drain-Strom und die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglichen es Ihnen, anspruchsvolle Anwendungen mit Leichtigkeit zu realisieren. Egal, ob Sie einen leistungsstarken Motor steuern oder einen hocheffizienten Schaltregler entwickeln, der IRFB4228PBF liefert die Leistung, die Sie benötigen.
  • Absolute Zuverlässigkeit: Der IRFB4228PBF ist für den harten Einsatz konzipiert. Sein robustes Gehäuse und seine hohe Spannungsfestigkeit gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb auch unter extremen Bedingungen. Sie können sich darauf verlassen, dass dieser MOSFET seine Aufgabe erfüllt, egal was passiert.
  • Einfache Integration: Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern und in bestehende Schaltungen. Die klaren und verständlichen Datenblätter erleichtern die Integration in Ihre Designs und sparen Ihnen wertvolle Entwicklungszeit.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der IRFB4228PBF ist ein echter Allrounder und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Lassen Sie sich von den folgenden Beispielen inspirieren:

Schaltnetzteile

In Schaltnetzteilen sorgt der IRFB4228PBF für eine hocheffiziente und stabile Spannungsversorgung. Seine schnellen Schaltzeiten und der geringe Einschaltwiderstand minimieren Leistungsverluste und ermöglichen die Entwicklung kompakter und leistungsstarker Netzteile.

Motorsteuerungen

Ob für Elektrowerkzeuge, Robotik oder Modellbau – der IRFB4228PBF ist die ideale Wahl für Motorsteuerungen. Seine hohe Stromtragfähigkeit und die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglichen eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren.

DC-DC-Wandler

In DC-DC-Wandlern sorgt der IRFB4228PBF für eine effiziente Umwandlung von Gleichspannung in andere Spannungsniveaus. Seine geringen Verluste und die hohe Zuverlässigkeit machen ihn zur perfekten Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobiltechnik, der Medizintechnik und der Industrieelektronik.

Hochfrequenz-Leistungsverstärker

Der IRFB4228PBF eignet sich auch hervorragend für den Einsatz in Hochfrequenz-Leistungsverstärkern. Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und die geringe Gate-Ladung ermöglichen die Entwicklung effizienter und leistungsstarker Verstärker für eine Vielzahl von Anwendungen.

Solaranlagen

In Solaranlagen kommt der IRFB4228PBF in Ladereglern und Wechselrichtern zum Einsatz. Seine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit tragen dazu bei, die Energieausbeute zu maximieren und die Lebensdauer der Anlage zu verlängern.

Technische Daten im Überblick

Für alle Technik-Enthusiasten und Profis haben wir hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des IRFB4228PBF:

Parameter Wert Einheit
VDSS (Drain-Source-Spannung) 30 V
RDS(on) (Drain-Source-Einschaltwiderstand) bei VGS = 10V 2.9 mΩ
ID (Drain-Strom) 120 A
PD (Verlustleistung) 150 W
Qg (Gate-Ladung) 75 nC
Tj (Sperrschichttemperatur) 175 °C
Gehäuse TO-220AB –

Der INTERNATIONAL RECTIFIER Qualitätsanspruch

Wenn Sie sich für den IRFB4228PBF entscheiden, entscheiden Sie sich für ein Produkt von INTERNATIONAL RECTIFIER, einem Unternehmen mit jahrzehntelanger Erfahrung und einem unerschütterlichen Engagement für Qualität. Jeder MOSFET wird sorgfältig geprüft und getestet, um sicherzustellen, dass er den höchsten Standards entspricht. Sie können sich darauf verlassen, dass der IRFB4228PBF Ihre Erwartungen übertreffen wird – jedes Mal.

Entfesseln Sie Ihr Potenzial

Warten Sie nicht länger und entfesseln Sie das volle Potenzial Ihrer Elektronikprojekte mit dem INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4228PBF Leistungs-MOSFET. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied, den Qualität und Leistung machen können! Lassen Sie Ihre Ideen Wirklichkeit werden und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik mit einem Bauteil, das so leistungsstark und zuverlässig ist wie Ihre Visionen.

FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolartransistor?

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) und Bipolartransistoren sind beides Transistortypen, die in elektronischen Schaltungen eingesetzt werden. Der Hauptunterschied liegt in der Funktionsweise. MOSFETs sind spannungsgesteuerte Bauelemente, während Bipolartransistoren stromgesteuert sind. Das bedeutet, dass ein MOSFET durch die Spannung an seinem Gate gesteuert wird, während ein Bipolartransistor durch den Strom gesteuert wird, der in seine Basis fließt. MOSFETs haben in der Regel einen höheren Eingangswiderstand und sind einfacher zu steuern, während Bipolartransistoren eine höhere Verstärkung bieten können.

Wie schütze ich den IRFB4228PBF vor Überspannung?

Überspannungen können einen MOSFET beschädigen. Um den IRFB4228PBF zu schützen, können Sie verschiedene Maßnahmen ergreifen:

  • Verwenden Sie TVS-Dioden (Transient Voltage Suppression): Diese Dioden werden parallel zum MOSFET geschaltet und leiten Überspannungen ab, bevor sie den MOSFET erreichen können.
  • Integrieren Sie Snubber-Schaltungen: Snubber-Schaltungen bestehen aus einem Widerstand und einem Kondensator und werden verwendet, um Spannungsspitzen beim Schalten des MOSFET zu reduzieren.
  • Verwenden Sie eine geeignete Kühlung: Eine gute Wärmeableitung verhindert, dass der MOSFET überhitzt und durch Überspannungen leichter beschädigt wird.
  • Sorgen Sie für eine saubere Spannungsversorgung: Verwenden Sie Filter und Entkopplungskondensatoren, um Störungen und Spannungsspitzen in der Spannungsversorgung zu minimieren.

Kann ich den IRFB4228PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, den IRFB4228PBF parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings sollten Sie dabei einige wichtige Punkte beachten:

  • Sorgen Sie für eine gleichmäßige Stromverteilung: Verwenden Sie Widerstände in Serie mit jedem MOSFET, um sicherzustellen, dass der Strom gleichmäßig auf die MOSFETs verteilt wird.
  • Achten Sie auf die Wärmeableitung: Jeder MOSFET muss ausreichend gekühlt werden, um eine Überhitzung zu vermeiden.
  • Verwenden Sie Gate-Widerstände: Jeder MOSFET sollte einen eigenen Gate-Widerstand haben, um Oszillationen zu vermeiden.

Welche Kühlkörpergröße benötige ich für den IRFB4228PBF?

Die benötigte Kühlkörpergröße hängt von der Verlustleistung des MOSFET und der Umgebungstemperatur ab. Um die richtige Kühlkörpergröße zu bestimmen, müssen Sie die thermischen Widerstände des MOSFET, des Kühlkörpers und der Umgebung berücksichtigen. Verwenden Sie die Formel:

RθJA = (Tj – Ta) / PD

wobei:

  • RθJA der gesamte thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Umgebung ist
  • Tj die maximale Sperrschichttemperatur des MOSFET ist (175°C für den IRFB4228PBF)
  • Ta die Umgebungstemperatur ist
  • PD die Verlustleistung des MOSFET ist

Bestimmen Sie die maximale Verlustleistung Ihres MOSFET in Ihrer Anwendung und berechnen Sie den benötigten thermischen Widerstand des Kühlkörpers. Wählen Sie dann einen Kühlkörper mit einem entsprechenden thermischen Widerstand aus.

Wo finde ich das Datenblatt für den IRFB4228PBF?

Das offizielle Datenblatt für den IRFB4228PBF finden Sie auf der Webseite des Herstellers (Infineon Technologies, vormals INTERNATIONAL RECTIFIER). Eine einfache Google-Suche nach „IRFB4228PBF Datenblatt“ führt Sie in der Regel direkt zum PDF-Dokument. Im Datenblatt finden Sie alle detaillierten technischen Spezifikationen, Anwendungsrichtlinien und Informationen zur Montage.

Bewertungen: 4.7 / 5. 661

Zusätzliche Informationen
Marke

INTERNATIONAL RECTIFIER

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