INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP064NPBF

Entdecken Sie die unübertroffene Leistung und Zuverlässigkeit des INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP064NPBF Leistungs-MOSFET – das Herzstück für Ihre anspruchsvollsten Elektronikprojekte. Dieser MOSFET ist nicht einfach nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für Effizienz, Stabilität und herausragende Performance.

Die Kraft, die Ihre Projekte beflügelt

Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltungen mit einem Bauteil ausstatten, das selbst unter den härtesten Bedingungen zuverlässig arbeitet. Ein Bauteil, das nicht nur den Stromfluss steuert, sondern auch die Effizienz Ihrer gesamten Anwendung optimiert. Der IRFP064NPBF ist genau das – ein leistungsstarker Partner, der Ihre Visionen Realität werden lässt.

Ob in der Leistungselektronik, in Schaltnetzteilen oder in Motorsteuerungen – der IRFP064NPBF bietet die Performance, die Sie benötigen. Seine robuste Bauweise und seine ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für Anwendungen, bei denen es auf höchste Zuverlässigkeit und Effizienz ankommt. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit dieses MOSFETs inspirieren und heben Sie Ihre Projekte auf ein neues Level.

Der IRFP064NPBF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Mit seiner hohen Schaltgeschwindigkeit und seinem geringen Einschaltwiderstand ermöglicht er eine effiziente Energieübertragung und minimiert Verluste. Das Ergebnis: höhere Leistung, geringere Wärmeentwicklung und eine längere Lebensdauer Ihrer Schaltungen. Vertrauen Sie auf die bewährte Qualität von INTERNATIONAL RECTIFIER und erleben Sie den Unterschied.

Technische Highlights im Überblick

Der IRFP064NPBF überzeugt durch eine Vielzahl technischer Merkmale, die ihn zu einem der führenden Leistungs-MOSFETs auf dem Markt machen. Hier sind einige der wichtigsten Eigenschaften, die Sie überzeugen werden:

• Hohe Sperrspannung: Dank seiner hohen Sperrspannung bietet der IRFP064NPBF einen sicheren Betrieb auch in anspruchsvollen Anwendungen.
• Geringer Einschaltwiderstand (RDS(on)): Der niedrige RDS(on) minimiert die Leistungsverluste und sorgt für eine effiziente Energieübertragung.
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht den Einsatz in hochfrequenten Anwendungen und optimiert die Performance Ihrer Schaltungen.
• Robuste Bauweise: Die robuste Bauweise gewährleistet eine hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer, selbst unter extremen Bedingungen.
• Bleifreie Ausführung: Der IRFP064NPBF entspricht den aktuellen Umweltstandards und ist bleifrei.

Detaillierte Spezifikationen

Um Ihnen einen umfassenden Überblick über die technischen Daten des IRFP064NPBF zu geben, haben wir hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten Spezifikationen zusammengestellt:

Parameter	Wert	Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds)	250	V
Gate-Source-Spannung (Vgs)	±20	V
Drain-Strom (Id)	38	A
Puls-Drain-Strom (Idm)	150	A
Verlustleistung (Pd)	150	W
Einschaltwiderstand (RDS(on))	0.040	Ω
Gate-Ladung (Qg)	62	nC
Anstiegszeit (tr)	13	ns
Fallzeit (tf)	20	ns
Gehäuse	TO-220AB	–

Diese Spezifikationen zeigen deutlich, dass der IRFP064NPBF ein leistungsstarker und vielseitiger MOSFET ist, der für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Seine herausragenden elektrischen Eigenschaften und seine robuste Bauweise machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Ihre Projekte.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IRFP064NPBF kennt kaum Grenzen. Er findet in einer breiten Palette von Anwendungen seinen Einsatz und überzeugt dabei stets durch seine herausragende Performance. Hier sind einige Beispiele, die Sie inspirieren werden:

• Schaltnetzteile: In Schaltnetzteilen sorgt der IRFP064NPBF für eine effiziente und zuverlässige Energieumwandlung. Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und sein geringer Einschaltwiderstand minimieren die Verluste und optimieren die Performance des Netzteils.
• Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen ermöglicht der IRFP064NPBF eine präzise und effiziente Steuerung von Motoren. Seine hohe Strombelastbarkeit und seine robuste Bauweise gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
• DC-DC-Wandler: In DC-DC-Wandlern sorgt der IRFP064NPBF für eine stabile und effiziente Spannungswandlung. Seine geringen Verluste und seine hohe Schaltgeschwindigkeit optimieren die Performance des Wandlers.
• Wechselrichter: In Wechselrichtern ermöglicht der IRFP064NPBF eine effiziente Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom. Seine hohe Sperrspannung und seine robuste Bauweise gewährleisten einen sicheren und zuverlässigen Betrieb.
• Leistungsverstärker: In Leistungsverstärkern sorgt der IRFP064NPBF für eine hohe Ausgangsleistung und eine geringe Verzerrung. Seine ausgezeichneten linearen Eigenschaften und seine hohe Strombelastbarkeit machen ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Audioanwendungen.

Diese Beispiele zeigen, dass der IRFP064NPBF ein äußerst vielseitiges Bauteil ist, das in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann. Seine herausragende Performance und seine hohe Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für Ihre Projekte.

Qualität, die überzeugt

Der IRFP064NPBF wird von INTERNATIONAL RECTIFIER hergestellt, einem Unternehmen, das für seine hochwertigen und zuverlässigen Halbleiterprodukte bekannt ist. Jeder MOSFET wird sorgfältig geprüft und getestet, um sicherzustellen, dass er den höchsten Qualitätsstandards entspricht. Vertrauen Sie auf die bewährte Qualität von INTERNATIONAL RECTIFIER und erleben Sie den Unterschied.

INTERNATIONAL RECTIFIER hat sich seit Jahrzehnten einen Namen als führender Anbieter von Leistungshalbleitern gemacht. Das Unternehmen investiert kontinuierlich in Forschung und Entwicklung, um innovative Produkte zu entwickeln, die den Anforderungen der modernen Elektronik gerecht werden. Mit dem IRFP064NPBF erhalten Sie ein Produkt, das auf jahrelanger Erfahrung und Expertise basiert.

Die hohe Qualität des IRFP064NPBF spiegelt sich nicht nur in seiner Performance wider, sondern auch in seiner Langlebigkeit. Dank seiner robusten Bauweise und seiner sorgfältigen Fertigung ist der IRFP064NPBF äußerst zuverlässig und bietet eine lange Lebensdauer. Sie können sich darauf verlassen, dass er auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig arbeitet und Ihre Projekte unterstützt.

So profitieren Sie von diesem MOSFET

Der IRFP064NPBF bietet Ihnen eine Vielzahl von Vorteilen, die Ihre Projekte erfolgreicher machen. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile, die Sie genießen werden:

• Höhere Effizienz: Dank seines geringen Einschaltwiderstands und seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit ermöglicht der IRFP064NPBF eine effiziente Energieübertragung und minimiert Verluste.
• Geringere Wärmeentwicklung: Die geringe Wärmeentwicklung reduziert die Anforderungen an die Kühlung und ermöglicht eine kompaktere Bauweise Ihrer Schaltungen.
• Längere Lebensdauer: Die robuste Bauweise und die hohe Zuverlässigkeit gewährleisten eine lange Lebensdauer Ihrer Schaltungen.
• Höhere Leistung: Die hohe Strombelastbarkeit und die hohe Sperrspannung ermöglichen den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen.
• Einfache Integration: Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen.

Diese Vorteile machen den IRFP064NPBF zu einer ausgezeichneten Wahl für alle, die Wert auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit legen. Investieren Sie in den IRFP064NPBF und profitieren Sie von seinen herausragenden Eigenschaften.

FAQ – Häufig gestellte Fragen

Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolartransistor?

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) und Bipolartransistoren sind beides Arten von Transistoren, die in elektronischen Schaltungen verwendet werden, aber sie funktionieren nach unterschiedlichen Prinzipien und haben unterschiedliche Eigenschaften.

MOSFET:

• Spannungsgesteuert: Ein MOSFET ist ein spannungsgesteuertes Bauelement. Das bedeutet, der Stromfluss zwischen Source und Drain wird durch die Spannung am Gate-Anschluss gesteuert.
• Hoher Eingangswiderstand: MOSFETs haben einen sehr hohen Eingangswiderstand, was bedeutet, dass nur sehr wenig Strom benötigt wird, um den Transistor zu steuern.
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: MOSFETs können sehr schnell schalten, was sie ideal für Anwendungen wie Schaltnetzteile und Hochfrequenzschaltungen macht.
• Geringere Leistungsverluste: MOSFETs haben oft geringere Leistungsverluste als Bipolartransistoren, insbesondere bei hohen Frequenzen.

Bipolartransistor:

• Stromgesteuert: Ein Bipolartransistor ist ein stromgesteuertes Bauelement. Der Stromfluss zwischen Kollektor und Emitter wird durch den Strom gesteuert, der in den Basisanschluss fließt.
• Niedriger Eingangswiderstand: Bipolartransistoren haben einen niedrigeren Eingangswiderstand als MOSFETs, was bedeutet, dass mehr Strom benötigt wird, um den Transistor zu steuern.
• Langsamere Schaltgeschwindigkeit: Bipolartransistoren sind in der Regel langsamer als MOSFETs, was sie für einige Anwendungen weniger geeignet macht.
• Höhere Verstärkung: Bipolartransistoren können eine höhere Stromverstärkung als MOSFETs bieten, was sie für bestimmte Verstärkeranwendungen nützlich macht.

Zusammenfassend: MOSFETs sind ideal für Anwendungen, die eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Eingangswiderstand und geringe Leistungsverluste erfordern, während Bipolartransistoren besser für Anwendungen geeignet sein können, die eine hohe Stromverstärkung erfordern.

Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung aus?

Die Auswahl des richtigen MOSFETs für Ihre Anwendung erfordert die Berücksichtigung verschiedener Faktoren, um sicherzustellen, dass der Transistor die erforderlichen Spezifikationen erfüllt und zuverlässig arbeitet. Hier sind die wichtigsten Schritte und Überlegungen:

1. Spannungsanforderungen (Vds):
   • Maximale Drain-Source-Spannung: Stellen Sie sicher, dass die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) des MOSFETs höher ist als die maximale Spannung, die in Ihrer Schaltung auftreten kann. Eine Faustregel ist, einen MOSFET zu wählen, dessen Vds mindestens 20 % höher ist als die maximale zu erwartende Spannung, um einen Sicherheitsspielraum zu haben.
2. Stromanforderungen (Id):
   • Kontinuierlicher Drain-Strom: Bestimmen Sie den maximalen kontinuierlichen Drain-Strom (Id), den der MOSFET führen muss. Wählen Sie einen MOSFET, dessen Id-Wert höher ist als der maximale Strom in Ihrer Anwendung.
   • Puls-Drain-Strom (Idm): Berücksichtigen Sie auch den Puls-Drain-Strom (Idm), falls Ihre Anwendung kurzzeitige Stromspitzen aufweist.
3. Einschaltwiderstand (RDS(on)):
   • Minimierung der Verluste: Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) bestimmt die Leistungsverluste im MOSFET, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedrigerer RDS(on)-Wert führt zu geringeren Verlusten und einer geringeren Wärmeentwicklung. Wählen Sie einen MOSFET mit einem möglichst niedrigen RDS(on)-Wert, insbesondere bei höheren Strömen.
4. Schaltgeschwindigkeit:
   • Anstiegs- und Fallzeiten: Die Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs, gemessen durch die Anstiegs- und Fallzeiten (tr und tf), ist wichtig für Anwendungen, die schnelles Schalten erfordern, wie z. B. Schaltnetzteile. Schnellere Schaltgeschwindigkeiten reduzieren die Schaltverluste.
5. Gate-Ladung (Qg):
   • Treiberanforderungen: Die Gate-Ladung (Qg) beeinflusst, wie viel Strom benötigt wird, um den MOSFET ein- und auszuschalten. Ein niedrigerer Qg-Wert bedeutet, dass weniger Strom benötigt wird, was die Anforderungen an den Gate-Treiber reduziert.
6. Verlustleistung (Pd):
   • Wärmeableitung: Die Verlustleistung (Pd) gibt an, wie viel Leistung der MOSFET als Wärme ableiten kann. Stellen Sie sicher, dass die Verlustleistung des MOSFETs ausreichend ist, um die in Ihrer Anwendung erzeugte Wärme abzuführen. Gegebenenfalls ist die Verwendung eines Kühlkörpers erforderlich, um die Temperatur des MOSFETs innerhalb der zulässigen Grenzen zu halten.
7. Gehäuse:
   • Montage und Kühlung: Das Gehäuse des MOSFETs beeinflusst die Montage und die Wärmeableitung. Gängige Gehäuse sind TO-220, TO-247 und SMD-Gehäuse. Wählen Sie ein Gehäuse, das Ihren Montageanforderungen entspricht und eine effiziente Wärmeableitung ermöglicht.
8. Temperaturbereich:
   • Betriebstemperatur: Stellen Sie sicher, dass der MOSFET innerhalb des erwarteten Temperaturbereichs Ihrer Anwendung betrieben werden kann. Die meisten MOSFETs haben einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C, aber überprüfen Sie das Datenblatt, um sicherzustellen, dass der MOSFET für Ihre spezifischen Bedingungen geeignet ist.
9. Gate-Source-Spannung (Vgs):
   • Ansteuerung: Stellen Sie sicher, dass die Gate-Source-Spannung (Vgs) des MOSFETs mit der Spannung Ihres Gate-Treibers kompatibel ist. Überschreiten Sie niemals die maximale Vgs, da dies den MOSFET beschädigen kann.
10. Zusätzliche Überlegungen:
    • Frequenz: Für Hochfrequenzanwendungen sollten Sie MOSFETs mit geringer Gate-Ladung und schnellen Schaltzeiten in Betracht ziehen.
    • Effizienz: Wählen Sie MOSFETs mit geringem RDS(on) und geringer Gate-Ladung, um die Effizienz zu maximieren.
    • Kosten: Berücksichtigen Sie das Kosten-Nutzen-Verhältnis. Manchmal kann ein etwas teurerer MOSFET mit besseren Spezifikationen langfristig kosteneffizienter sein, da er die Effizienz verbessert und die Zuverlässigkeit erhöht.

Beispiel:

Angenommen, Sie entwickeln ein Schaltnetzteil mit einer Eingangsspannung von 120 VDC und einem maximalen Strom von 5 A. Sie benötigen einen MOSFET, der diese Anforderungen erfüllt.

• Vds: Wählen Sie einen MOSFET mit Vds ≥ 120 V + 20 % = 144 V. Ein MOSFET mit Vds = 200 V wäre eine gute Wahl.
• Id: Wählen Sie einen MOSFET mit Id ≥ 5 A. Ein MOSFET mit Id = 10 A oder mehr wäre geeignet.
• RDS(on): Wählen Sie einen MOSFET mit einem möglichst niedrigen RDS(on), z. B. unter 0,1 Ohm.
• Gehäuse: Ein TO-220-Gehäuse könnte eine gute Wahl sein, da es einfach zu montieren ist und eine gute Wärmeableitung ermöglicht.

Indem Sie diese Schritte befolgen und die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung berücksichtigen, können Sie den richtigen MOSFET auswählen, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Was bedeutet „PbF“ am Ende der Produktbezeichnung IRFP064NPBF?

Die Abkürzung „PbF“ am Ende der Produktbezeichnung IRFP064NPBF steht für „Lead-Free“, was auf Deutsch „bleifrei“ bedeutet. Dies gibt an, dass das Bauelement, in diesem Fall der IRFP064NPBF MOSFET, in Übereinstimmung mit den RoHS-Richtlinien (Restriction of Hazardous Substances) hergestellt wurde. Diese Richtlinien beschränken die Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe, darunter Blei, in elektronischen Geräten und Bauteilen.

Bedeutung von PbF (Lead-Free):

• Umweltfreundlichkeit: Die Verwendung von bleifreien Bauteilen trägt zum Schutz der Umwelt bei, da Blei ein giftiges Schwermetall ist, das bei der Entsorgung elektronischer Geräte freigesetzt werden kann.
• Gesundheitsschutz: Bleifreie Produkte tragen zum Schutz der Gesundheit von Arbeitern und Verbrauchern bei, da die Exposition gegenüber Blei gesundheitsschädliche Auswirkungen haben kann.
• Einhaltung von Vorschriften: Die RoHS-Richtlinien sind in vielen Ländern und Regionen weltweit verbindlich. Die Verwendung von bleifreien Bauteilen ist daher oft eine Voraussetzung für den Vertrieb von elektronischen Produkten.
• Verbesserte Lötbarkeit: Bleifreie Lötmittel haben oft bessere mechanische Eigenschaften und eine höhere Korrosionsbeständigkeit als bleihaltige Lötmittel.

Konsequenzen für die Verwendung:

• Lötprozess: Bei der Verarbeitung von bleifreien Bauteilen ist es wichtig, bleifreie Lötmittel und geeignete Löttemperaturen zu verwenden, um eine zuverlässige Verbindung sicherzustellen.
• Kompatibilität: Bleifreie Bauteile sind in der Regel mit bleihaltigen Bauteilen kompatibel, aber es ist ratsam, die Kompatibilität im Einzelfall zu prüfen.

Zusammenfassend bedeutet „PbF“ in der Produktbezeichnung IRFP064NPBF, dass der MOSFET bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht, was sowohl umweltfreundliche als auch gesundheitliche Vorteile bietet und die Einhaltung internationaler Vorschriften

Marke	INTERNATIONAL RECTIFIER