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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP2907PBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP2907PBF

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Artikelnummer: d25610995ce3 Kategorie: Transistoren
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Beschreibung

Hier ist Ihre SEO-optimierte Produktbeschreibung für den INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP2907PBF, inklusive FAQ-Bereich:

Der IRFP2907PBF von INTERNATIONAL RECTIFIER ist mehr als nur ein MOSFET – er ist das Herzstück für Ihre leistungsstarken Elektronikprojekte. Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltungen effizienter, zuverlässiger und mit mehr Kontrolle steuern. Dieser Leistungs-MOSFET macht es möglich! Ob für anspruchsvolle Motorsteuerungen, hocheffiziente Schaltnetzteile oder innovative Audioverstärker – der IRFP2907PBF bietet die Performance, die Sie sich wünschen.

Inhalt

Toggle
  • Der IRFP2907PBF im Detail: Ihre Vorteile auf einen Blick
    • Technische Daten, die überzeugen:
    • Anwendungsbereiche, die begeistern:
  • Warum der IRFP2907PBF die richtige Wahl für Sie ist
    • Robustheit und Zuverlässigkeit:
    • Hohe Effizienz:
    • Einfache Handhabung:
    • Qualität von INTERNATIONAL RECTIFIER:
    • Umweltfreundlich:
  • Technische Details im Überblick
  • FAQ: Häufig gestellte Fragen zum IRFP2907PBF
    • Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ am Ende des Namens IRFP2907PBF?
    • Wie bestimme ich die richtige Kühlung für den IRFP2907PBF?
    • Kann ich den IRFP2907PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
    • Welche Gate-Ansteuerspannung ist optimal für den IRFP2907PBF?
    • Wie schütze ich den IRFP2907PBF vor Überspannung?
    • Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFP2907PBF?
    • Ist der IRFP2907PBF ESD-empfindlich?
    • Kann ich den IRFP2907PBF für PWM-Anwendungen verwenden?

Der IRFP2907PBF im Detail: Ihre Vorteile auf einen Blick

Der IRFP2907PBF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hohe Ströme und Spannungen ausgelegt ist. Seine robuste Bauweise und die fortschrittliche Technologie von INTERNATIONAL RECTIFIER garantieren eine lange Lebensdauer und zuverlässige Performance, selbst unter anspruchsvollen Bedingungen. Tauchen wir tiefer in die Details ein und entdecken Sie, was diesen MOSFET so besonders macht.

Technische Daten, die überzeugen:

  • Typ: N-Kanal-Leistungs-MOSFET
  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDSS): 75 V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID): 64 A (bei TC = 25°C)
  • Puls-Drain-Strom (IDM): 240 A
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Gesamtverlustleistung (PD): 330 W (bei TC = 25°C)
  • Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C
  • Gehäuse: TO-247AC
  • RDS(on) (Drain-Source-Widerstand): 0.013 Ohm (typisch bei VGS = 10V)
  • Qg (Gate Charge): 78 nC (typisch)

Diese beeindruckenden Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, anspruchsvolle Anwendungen mit höchster Effizienz zu realisieren. Der niedrige RDS(on) minimiert Verluste und sorgt für eine kühlere Betriebstemperatur, was die Lebensdauer Ihrer Schaltung verlängert. Der hohe zulässige Strom erlaubt den Einsatz in leistungshungrigen Anwendungen.

Anwendungsbereiche, die begeistern:

Die Vielseitigkeit des IRFP2907PBF kennt kaum Grenzen. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen Leistungs-MOSFET optimal einsetzen können:

  • Schaltnetzteile (SMPS): Steigern Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und minimieren Sie Energieverluste.
  • Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und leistungsstarke Motorsteuerungen für Elektrowerkzeuge, Robotik und mehr.
  • DC-DC-Wandler: Entwickeln Sie hocheffiziente DC-DC-Wandler für eine Vielzahl von Anwendungen.
  • Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um, beispielsweise für Solaranlagen oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
  • Audioverstärker: Erleben Sie einen klaren und kraftvollen Klang in Ihren Audioverstärkern.
  • Induktionsheizungen: Nutzen Sie die hohe Schaltgeschwindigkeit für effiziente Induktionsheizungen.
  • Elektrofahrzeuge (EV): Optimieren Sie die Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Sorgen Sie für eine zuverlässige Steuerung und Überwachung von Batterien.

Mit dem IRFP2907PBF sind Ihrer Kreativität keine Grenzen gesetzt. Er ist der Schlüssel zu innovativen und leistungsstarken elektronischen Lösungen.

Warum der IRFP2907PBF die richtige Wahl für Sie ist

Neben den beeindruckenden technischen Daten und vielfältigen Anwendungsbereichen gibt es weitere Gründe, die für den IRFP2907PBF sprechen. Er ist nicht nur ein Bauteil, sondern eine Investition in die Zuverlässigkeit und Effizienz Ihrer Projekte.

Robustheit und Zuverlässigkeit:

Der IRFP2907PBF ist für den harten Einsatz konzipiert. Er hält hohen Temperaturen, Strömen und Spannungen stand und bietet eine lange Lebensdauer. Sie können sich darauf verlassen, dass Ihre Schaltungen auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig funktionieren.

Hohe Effizienz:

Dank des niedrigen RDS(on) minimiert der IRFP2907PBF die Verlustleistung und sorgt für eine höhere Effizienz Ihrer Schaltungen. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung, geringeren Energieverbrauch und eine längere Lebensdauer der Bauteile.

Einfache Handhabung:

Das TO-247AC-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung. Sie können den IRFP2907PBF problemlos in Ihre bestehenden Schaltungen integrieren oder neue Projekte realisieren.

Qualität von INTERNATIONAL RECTIFIER:

INTERNATIONAL RECTIFIER ist ein weltweit führender Hersteller von Leistungshalbleitern. Sie können sich auf die hohe Qualität und Zuverlässigkeit der Produkte verlassen. Der IRFP2907PBF ist das Ergebnis jahrelanger Erfahrung und Innovation in der Leistungselektronik.

Umweltfreundlich:

Der IRFP2907PBF ist bleifrei und entspricht den RoHS-Richtlinien. Sie können ihn bedenkenlos in umweltfreundlichen Produkten einsetzen.

Der IRFP2907PBF ist mehr als nur ein MOSFET – er ist ein Partner für Ihre Projekte. Er unterstützt Sie dabei, Ihre Ideen zu verwirklichen und Ihre Ziele zu erreichen. Erleben Sie die Power und Zuverlässigkeit dieses außergewöhnlichen Bauteils!

Technische Details im Überblick

Für alle Technik-Enthusiasten und Profis haben wir hier noch eine detailliertere Aufstellung der technischen Spezifikationen. Diese Informationen helfen Ihnen bei der präzisen Planung und Umsetzung Ihrer Projekte.

Parameter Symbol Wert Einheit Bedingung
Drain-Source-Spannung VDSS 75 V
Gate-Source-Spannung VGS ±20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom ID 64 A VGS = 10V, TC = 25°C
Puls-Drain-Strom IDM 240 A
Gesamtverlustleistung PD 330 W TC = 25°C
Linear Derating Factor 2.2 W/°C
Gate Schwellspannung VGS(th) 2.0 – 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA
Drain-Source Einschaltwiderstand RDS(on) 0.013 Ω VGS = 10 V, ID = 41A
Gesamt Gate Ladung Qg 78 nC VDS = 60V, VGS = 10V, ID = 41A
Gate-Source Ladung Qgs 12 nC
Gate-Drain Ladung Qgd 34 nC
Einschaltverzögerungszeit td(on) 13 ns VDD = 38V, ID = 41A, RG = 4.7Ω
Anstiegszeit tr 54 ns
Ausschaltverzögerungszeit td(off) 68 ns
Fallzeit tf 22 ns
Source-Drain Diode Vorwärtsspannung VSD 1.3 V IS = 64A, VGS = 0V
Speichertemperaturbereich TJ, Tstg -55 bis +175 °C

Diese detaillierten Spezifikationen unterstreichen die Leistungsfähigkeit und Präzision des IRFP2907PBF. Nutzen Sie diese Informationen, um Ihre Schaltungen optimal zu gestalten und das volle Potenzial dieses MOSFETs auszuschöpfen.

FAQ: Häufig gestellte Fragen zum IRFP2907PBF

Wir haben die häufigsten Fragen unserer Kunden zum IRFP2907PBF zusammengestellt, um Ihnen bei der Entscheidung zu helfen und eventuelle Unklarheiten zu beseitigen.

Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ am Ende des Namens IRFP2907PBF?

Die Endung „PBF“ steht für „Pb-Free“, was bedeutet, dass der IRFP2907PBF bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht. Dies ist ein wichtiger Aspekt für umweltfreundliche Anwendungen und entspricht den aktuellen Standards in der Elektronikindustrie.

Wie bestimme ich die richtige Kühlung für den IRFP2907PBF?

Die Wahl der richtigen Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie zunächst die Verlustleistung (PD = ID2 * RDS(on)) und wählen Sie einen Kühlkörper, der die Wärme ausreichend ableiten kann. Achten Sie auf den Wärmewiderstand des Kühlkörpers und stellen Sie sicher, dass die maximale Betriebstemperatur des MOSFETs nicht überschritten wird.

Kann ich den IRFP2907PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, mehrere IRFP2907PBF parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Verwenden Sie beispielsweise separate Gate-Widerstände für jeden MOSFET und achten Sie auf eine symmetrische Anordnung der Bauteile.

Welche Gate-Ansteuerspannung ist optimal für den IRFP2907PBF?

Die empfohlene Gate-Ansteuerspannung (VGS) für den IRFP2907PBF beträgt 10 V. Bei dieser Spannung erreicht der MOSFET seinen minimalen RDS(on) und bietet die beste Performance. Eine niedrigere Spannung kann zu höheren Verlusten führen, während eine höhere Spannung die maximale Gate-Source-Spannung überschreiten und den MOSFET beschädigen kann.

Wie schütze ich den IRFP2907PBF vor Überspannung?

Überspannung kann den IRFP2907PBF beschädigen. Verwenden Sie Schutzdioden (z.B. TVS-Dioden) am Drain und Gate, um Spannungsspitzen abzufangen. Achten Sie auch auf eine korrekte Auslegung der Schaltung und verwenden Sie hochwertige Bauteile.

Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFP2907PBF?

Das Datenblatt für den IRFP2907PBF finden Sie auf der Website von Infineon (ehemals International Rectifier) oder auf verschiedenen Elektronik-Websites. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die technischen Spezifikationen, Anwendungen und Sicherheitsvorkehrungen.

Ist der IRFP2907PBF ESD-empfindlich?

Ja, wie alle MOSFETs ist auch der IRFP2907PBF ESD-empfindlich. Beachten Sie beim Umgang mit dem Bauteil die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen, wie das Tragen eines Erdungsarmbandes und die Verwendung einer antistatischen Arbeitsfläche.

Kann ich den IRFP2907PBF für PWM-Anwendungen verwenden?

Ja, der IRFP2907PBF eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation). Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und der niedrige RDS(on) ermöglichen eine effiziente und präzise Steuerung von Leistungselektronik.

Bewertungen: 4.9 / 5. 411

Zusätzliche Informationen
Marke

INTERNATIONAL RECTIFIER

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