Entdecken Sie die ultimative Leistung für Ihre anspruchsvollsten Projekte mit dem INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP4868PBF! Dieser Hochleistungs-MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zur Entfaltung Ihrer kreativen und technischen Visionen. Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltungen mit einer Effizienz und Zuverlässigkeit betreiben, die neue Maßstäbe setzt. Der IRFP4868PBF macht es möglich!
Technische Brillanz für Ihre Projekte
Der IRFP4868PBF von INTERNATIONAL RECTIFIER ist ein N-Kanal-MOSFET, der speziell für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch seine außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstände (RDS(on)) und seine hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Dies führt zu minimalen Verlusten und einer maximalen Effizienz in Ihren Schaltungen. Egal, ob Sie anspruchsvolle Netzteile, Motorsteuerungen oder innovative Energieumwandlungssysteme entwickeln, dieser MOSFET bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen.
Hauptmerkmale des IRFP4868PBF
- N-Kanal-MOSFET: Bietet eine ideale Grundlage für zahlreiche Anwendungen.
- Hohe Sperrspannung (VDS): Bis zu 75V, für mehr Sicherheit und Flexibilität in Ihren Designs.
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): Minimiert die Verluste und maximiert die Effizienz.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht schnelle und präzise Schaltvorgänge.
- Bleifreie Ausführung: Entspricht den neuesten Umweltstandards.
- RoHS-konform: Garantiert die Einhaltung internationaler Richtlinien.
- Optimiert für hohe Frequenzen: Ideal für moderne Schaltregler-Designs.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Der IRFP4868PBF ist ein echter Allrounder und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Platz. Seine Vielseitigkeit und seine herausragenden Leistungseigenschaften machen ihn zur ersten Wahl für Entwickler und Ingenieure, die höchste Ansprüche an ihre Bauteile stellen. Lassen Sie sich von den vielfältigen Einsatzmöglichkeiten inspirieren und entdecken Sie neue Möglichkeiten für Ihre Projekte!
- Netzteile: Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Netzteile für Server, Computer und industrielle Anwendungen.
- Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und energieeffiziente Motorsteuerungen für Elektrowerkzeuge, Roboter und Elektrofahrzeuge.
- DC-DC-Wandler: Erhöhen Sie die Effizienz und Leistungsdichte Ihrer DC-DC-Wandler für Telekommunikationssysteme und mobile Geräte.
- Wechselrichter: Bauen Sie leistungsstarke und zuverlässige Wechselrichter für Solaranlagen, Windkraftanlagen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
- Audioverstärker: Erzielen Sie eine hervorragende Klangqualität und Leistung in Ihren Audioverstärkern für Hi-Fi-Systeme und professionelle Audioanwendungen.
- Induktionserwärmung: Nutzen Sie die hohe Schaltgeschwindigkeit und den niedrigen Einschaltwiderstand für effiziente Induktionserwärmungssysteme.
- Schweißgeräte: Profitieren Sie von der hohen Strombelastbarkeit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Schweißanwendungen.
Technische Daten im Detail
Für eine fundierte Entscheidung und eine optimale Integration in Ihre Schaltungen ist es wichtig, die technischen Daten des IRFP4868PBF genau zu kennen. Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht über die wichtigsten Parameter und Kennwerte:
Absolute Maximum Ratings
Diese Werte dürfen unter keinen Umständen überschritten werden, da dies zu einer Beschädigung des MOSFETs führen kann. Beachten Sie diese Grenzwerte sorgfältig, um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit Ihrer Schaltungen zu gewährleisten.
- Drain-Source-Spannung (VDS): 75 V
- Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
- Dauerstrom (ID): 120 A (TC = 25°C)
- Pulsstrom (IDM): 480 A
- Verlustleistung (PD): 375 W (TC = 25°C)
- Betriebstemperatur (TJ): -55°C bis +175°C
- Lagertemperatur (TSTG): -55°C bis +175°C
Thermische Eigenschaften
Die thermischen Eigenschaften sind entscheidend für die Kühlung und die Leistungsfähigkeit des MOSFETs. Achten Sie auf eine ausreichende Kühlung, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten.
- Thermischer Widerstand, Junction-to-Case (RθJC): 0.4 °C/W
- Thermischer Widerstand, Junction-to-Ambient (RθJA): 40 °C/W
Elektrische Eigenschaften (TJ = 25°C, unless otherwise specified)
Die elektrischen Eigenschaften geben Aufschluss über das Verhalten des MOSFETs unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Diese Werte sind wichtig für die Auslegung und Optimierung Ihrer Schaltungen.
- Drain-Source-Durchbruchspannung (BVDSS): 75 V (ID = 250µA, VGS = 0V)
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2.0 V bis 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250µA)
- Gate-Leckstrom (IGSS): ±100 nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
- Drain-Leckstrom (IDSS): 250 µA (VDS = 75V, VGS = 0V)
- Einschaltwiderstand (RDS(on)): 4.1 mΩ (VGS = 10V, ID = 60A)
- Eingangskapazität (Ciss): 6800 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Ausgangskapazität (Coss): 1100 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Rückübertragungskapazität (Crss): 150 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate Charge (Qg): 110 nC (VDS = 60V, VGS = 10V, ID = 60A)
- Gate-Source Charge (Qgs): 20 nC (VDS = 60V, VGS = 10V, ID = 60A)
- Gate-Drain Charge (Qgd): 55 nC (VDS = 60V, VGS = 10V, ID = 60A)
- Turn-On Delay Time (td(on)): 15 ns (VDD = 38V, ID = 30A, RG = 2.5Ω, VGS = 10V)
- Rise Time (tr): 20 ns (VDD = 38V, ID = 30A, RG = 2.5Ω, VGS = 10V)
- Turn-Off Delay Time (td(off)): 60 ns (VDD = 38V, ID = 30A, RG = 2.5Ω, VGS = 10V)
- Fall Time (tf): 40 ns (VDD = 38V, ID = 30A, RG = 2.5Ω, VGS = 10V)
- Diode Forward Voltage (VSD): 1.2 V (IS = 60A, VGS = 0V)
- Reverse Recovery Time (trr): 110 ns (IF = 60A, di/dt = 100A/µs)
- Reverse Recovery Charge (Qrr): 670 nC (IF = 60A, di/dt = 100A/µs)
Qualität, die überzeugt
Der IRFP4868PBF wird unter strengen Qualitätskontrollen gefertigt und erfüllt höchste Ansprüche an Zuverlässigkeit und Langlebigkeit. Sie können sich darauf verlassen, dass dieser MOSFET auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine konstante Leistung erbringt. Investieren Sie in Qualität und profitieren Sie von einer langen Lebensdauer und minimalen Ausfallzeiten.
Nachhaltigkeit im Fokus
INTERNATIONAL RECTIFIER legt großen Wert auf Nachhaltigkeit und Umweltschutz. Der IRFP4868PBF ist bleifrei und RoHS-konform, was bedeutet, dass er den neuesten Umweltstandards entspricht. Mit dem Kauf dieses MOSFETs leisten Sie einen Beitrag zum Schutz unserer Umwelt und unterstützen eine verantwortungsvolle Produktion.
Verpackung und Lagerung
Der IRFP4868PBF wird in einer antistatischen Verpackung geliefert, um ihn vor elektrostatischen Entladungen (ESD) zu schützen. Lagern Sie den MOSFET an einem trockenen und kühlen Ort, um seine Leistungsfähigkeit und Lebensdauer zu erhalten. Beachten Sie die Hinweise zur ESD-gerechten Handhabung, um Beschädigungen zu vermeiden.
FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten
Wir verstehen, dass Sie möglicherweise Fragen zum IRFP4868PBF haben. Hier finden Sie Antworten auf die häufigsten Fragen, die uns gestellt werden. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren!
Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ im Namen IRFP4868PBF?
Die Bezeichnung „PBF“ steht für „Pb-Free“, was bedeutet, dass der IRFP4868PBF bleifrei ist und somit den RoHS-Richtlinien entspricht. Dies ist ein wichtiger Aspekt für Umweltfreundlichkeit und die Einhaltung internationaler Standards.
Wie kann ich den IRFP4868PBF am besten kühlen?
Eine effektive Kühlung ist entscheidend, um die maximale Leistung des IRFP4868PBF zu gewährleisten. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der auf das TO-247-Gehäuse passt, und achten Sie auf eine gute Wärmeableitung. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung in Ihrer Anwendung ab. Berücksichtigen Sie auch die Umgebungstemperatur und die Luftzirkulation.
Welche Gate-Ansteuerspannung (VGS) empfehlt sich für den IRFP4868PBF?
Der IRFP4868PBF ist für eine Gate-Source-Spannung (VGS) von bis zu ±20 V ausgelegt. Für einen optimalen Betrieb empfehlen wir eine VGS von 10 V, da der Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei dieser Spannung spezifiziert ist. Achten Sie darauf, die maximale VGS nicht zu überschreiten, um den MOSFET nicht zu beschädigen.
Kann ich den IRFP4868PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, mehrere IRFP4868PBF parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zwischen den MOSFETs zu gewährleisten. Dies kann durch den Einsatz von Gate-Widerständen und Drain-Drosseln erreicht werden. Beachten Sie auch die thermischen Aspekte und stellen Sie sicher, dass alle MOSFETs ausreichend gekühlt werden.
Wie schütze ich den IRFP4868PBF vor Überspannungen?
Überspannungen können den IRFP4868PBF beschädigen. Verwenden Sie Schutzschaltungen wie TVS-Dioden (Transient Voltage Suppressors) oder Varistoren, um Überspannungen abzuleiten und den MOSFET zu schützen. Platzieren Sie diese Schutzbauteile in der Nähe des MOSFETs, um eine schnelle Reaktion zu gewährleisten.
Welche Alternativen gibt es zum IRFP4868PBF?
Es gibt verschiedene Alternativen zum IRFP4868PBF, je nach Ihren spezifischen Anforderungen. Einige mögliche Alternativen sind der IRFP4668, der IRFP4768 und der IRFP4368. Vergleichen Sie die technischen Daten und wählen Sie den MOSFET, der am besten zu Ihrer Anwendung passt.
Wo finde ich detaillierte Informationen und Datenblätter zum IRFP4868PBF?
Detaillierte Informationen und Datenblätter zum IRFP4868PBF finden Sie auf der Webseite von Infineon Technologies (ehemals International Rectifier). Dort können Sie das aktuelle Datenblatt herunterladen und alle technischen Details einsehen.
